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IXTT12N140 发布时间 时间:2025/7/22 1:16:32 查看 阅读:8

IXTT12N140是一款由IXYS公司生产的高电压、大功率N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为需要高耐压、低导通电阻和高效开关性能的功率应用而设计。其最大漏源电压(VDS)高达1400V,连续漏极电流(ID)可达12A,适用于工业电源、开关电源(SMPS)、逆变器、电动工具以及电机控制等高要求的应用场景。IXTT12N140采用TO-247封装,具有良好的热管理和电气性能。

参数

最大漏源电压(VDS):1400V
  连续漏极电流(ID):12A(在TC=100℃时)
  栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.58Ω(最大0.7Ω)
  栅极电荷(Qg):典型值为70nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:TO-247
  最大功耗(PD):200W

特性

IXTT12N140采用了先进的平面MOSFET技术,确保了在高电压工作条件下仍具有优异的导通性能和开关速度。其低导通电阻(RDS(on))可有效降低导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力,能够在瞬态过电压情况下提供更高的可靠性。
  该器件的栅极设计具有良好的抗干扰能力,能够在复杂的电磁环境中稳定工作。TO-247封装提供了良好的散热性能,有助于延长器件寿命并提升整体系统稳定性。
  IXTT12N140还具备出色的短路耐受能力,适合用于需要频繁开关操作的高功率系统中。其快速恢复特性也使其在高频开关应用中表现出色,能够显著降低开关损耗。

应用

IXTT12N140广泛应用于需要高电压和大电流能力的电力电子系统中,包括工业电源、高压直流电源、开关电源(SMPS)、逆变器、电机驱动器、UPS系统、照明控制系统以及电动工具等。此外,该器件也非常适合用于光伏逆变器和储能系统中的功率转换电路。

替代型号

IXTT16N140, IXFP12N140, IXFH12N140

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IXTT12N140参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1400 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2 欧姆 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)106 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3720 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)890W(Tc)
  • 工作温度-
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-268AA
  • 封装/外壳TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA