时间：2025/7/22 1:16:32
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IXTT12N140是一款由IXYS公司生产的高电压、大功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为需要高耐压、低导通电阻和高效开关性能的功率应用而设计。其最大漏源电压（VDS）高达1400V，连续漏极电流（ID）可达12A，适用于工业电源、开关电源（SMPS）、逆变器、电动工具以及电机控制等高要求的应用场景。IXTT12N140采用TO-247封装，具有良好的热管理和电气性能。
最大漏源电压（VDS）：1400V
连续漏极电流（ID）：12A（在TC=100℃时）
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.58Ω（最大0.7Ω）
栅极电荷（Qg）：典型值为70nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-247
最大功耗（PD）：200W
IXTT12N140采用了先进的平面MOSFET技术，确保了在高电压工作条件下仍具有优异的导通性能和开关速度。其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压情况下提供更高的可靠性。
该器件的栅极设计具有良好的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中稳定工作。TO-247封装提供了良好的散热性能，有助于延长器件寿命并提升整体系统稳定性。
IXTT12N140还具备出色的短路耐受能力，适合用于需要频繁开关操作的高功率系统中。其快速恢复特性也使其在高频开关应用中表现出色，能够显著降低开关损耗。
IXTT12N140广泛应用于需要高电压和大电流能力的电力电子系统中，包括工业电源、高压直流电源、开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、UPS系统、照明控制系统以及电动工具等。此外，该器件也非常适合用于光伏逆变器和储能系统中的功率转换电路。
IXTT16N140, IXFP12N140, IXFH12N140
