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IRLML6246TRPBF 发布时间 时间:2025/5/30 10:48:31 查看 阅读:27

IRLML6246TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沤道逻辑电平 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用。这种 MOSFET 通常被用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中。
  IRLML6246TRPBF 的设计使其能够在较低的电压下开启,非常适合在 3.3V 或 5V 逻辑电平电路中工作。此外,其紧凑的封装形式和出色的电气性能使其成为空间受限应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻:75mΩ
  栅极-源极开启电压:1.2V
  总功耗:0.4W
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃
  封装类型:SO-8

特性

IRLML6246TRPBF 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在典型条件下仅为 75mΩ,从而减少了导通损耗并提高了效率。
  2. 较低的栅极电荷,支持快速开关操作,减少开关损耗。
  3. 高度稳定的性能,在宽温度范围内表现一致。
  4. 支持低至 1.2V 的逻辑电平输入,便于与现代数字控制电路集成。
  5. 提供强大的热保护功能,增强系统可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

IRLML6246TRP
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 便携式电子设备中的负载开关和电池管理。
  3. 电机驱动和小型直流电机控制。
  4. 通信设备中的信号切换。
  5. 各类消费类电子产品,例如智能手机、平板电脑及笔记本电脑配件。
  6. 工业控制和自动化系统中的低功率驱动模块。

替代型号

IRLML6244TRPBF, IRLML6245TRPBF

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IRLML6246TRPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C46 毫欧 @ 4.1A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 5µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.5nc @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds290pF @ 16V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLML6246TRPBFTR