时间：2025/6/17 3:30:48
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TB5T1 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关器件，主要用于高频开关电源、DC-DC转换器以及其他电力电子应用。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统的效率和功率密度。
相比传统的硅基MOSFET，TB5T1在高频操作下表现出更少的开关损耗，并且支持更高的工作频率，这使得设计更小尺寸的磁性元件成为可能。
型号：TB5T1
类型：GaN 功率开关
最大漏源电压（Vds）：600 V
最大导通电阻（Rds(on)）：120 mΩ
栅极驱动电压（Vgs）：4.5 V 至 6 V
连续漏极电流（Id）：10 A
结温范围（Tj）：-55 ℃ 至 +150 ℃
封装形式：TO-247
TB5T1采用先进的GaN技术，具备以下特点：
1. 高击穿电压：600V的额定电压使其适用于多种高压应用场景。
2. 快速开关性能：开关速度更快，从而减少开关损耗，提升整体效率。
3. 低导通电阻：仅为120mΩ，可有效降低导通损耗。
4. 小型化设计：由于其高频特性，允许使用更小的电感和变压器等无源元件。
5. 热性能优异：能够在高达150℃的结温下稳定运行。
6. 易于驱动：兼容标准逻辑电平驱动，简化了电路设计。
TB5T1广泛应用于需要高效能和高频工作的电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 无线充电系统
4. 电动汽车充电桩
5. 工业电机驱动
6. 太阳能逆变器
由于其高频和高效率的特性，特别适合对体积和散热要求严格的场景。
TB6T1
GXT120-650
NSA120N60S
