IRLML2060GTRPBF 时间：2025/7/12 16:00:08 阅读：23

IRLML2060GTRPBF 是一款来自英飞凌（Infineon）的 N 沟能耗型 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT-23 封装形式，非常适合空间受限的应用场景。其低导通电阻和高开关速度的特点使其成为便携式设备、消费类电子产品及电源管理应用的理想选择。
　　这款 MOSFET 的设计重点在于降低导通电阻以减少功率损耗，并且能够支持较高的持续电流能力。同时，它具备出色的热性能，有助于提升整体系统效率。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大连续漏极电流：4.1A
　　导通电阻：75mΩ
　　栅极电荷：3.5nC
　　总电容：115pF
　　工作结温范围：-55℃ to 150℃
　　封装形式：SOT-23

特性

IRLML2060GTRPBF 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 75mΩ，这使得器件在高频开关条件下具有较低的功率损耗。
　　2. 快速的开关速度，得益于其小的栅极电荷量（3.5nC），从而减少了开关损耗。
　　3. 支持高达 4.1A 的连续漏极电流，适用于多种中低功率应用。
　　4. 高耐压能力，额定漏源电压为 30V，可承受瞬态过压情况。
　　5. 采用紧凑型 SOT-23 封装，便于 PCB 布局并节省空间。
　　6. 工作温度范围宽广，从 -55℃ 至 +150℃，确保在恶劣环境下的可靠运行。
　　7. 热稳定性良好，能有效散热，延长器件寿命。

应用

该器件广泛应用于各种电子电路中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器和降压/升压模块。
　　3. 电池管理系统（BMS），用于控制充放电路径。
　　4. 电机驱动电路，例如小型直流电机或步进电机各种负载开关和保护电路，如过流保护或短路保护。
　　6. 消费类电子产品，例如手机充电器、平板电脑适配器等。
　　7. 信号处理电路中的开关功能实现。