时间：2025/7/12 1:21:46
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IRLL024NTR 是一款 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET，由 Vishay（威世）生产。该器件采用小型化的 TO-252 (DPAK) 封装形式，适合空间受限的应用场合。由于其低导通电阻和较高的电流处理能力，IRLL024NTR 常被用于开关电源、电机驱动、负载切换以及 DC-DC 转换器等应用中。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：38A
栅极阈值电压：1.75V 至 2.75V
导通电阻：8mΩ（在 Vgs=10V 时）
功耗：90W
工作结温范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-252 (DPAK)
存储温度范围：-55°C 至 150°C
IRLL024NTR 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），能够显著减少功率损耗并提升效率。
其栅极驱动电压较低，非常适合由标准 CMOS 或 TTL 逻辑信号直接驱动。
该器件还具备高雪崩击穿能力和快速开关速度，使其适用于高频应用环境。
此外，IRLL024NTR 符合 RoHS 标准，并具有出色的热性能以支持高功率密度设计。
其坚固的结构可确保在恶劣环境下稳定运行。
IRLL024NTR 广泛应用于各类电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如适配器和充电器。
2. 各类电机控制和驱动电路，例如直流无刷电机 (BLDC) 驱动。
3. 负载切换和保护电路。
4. DC-DC 转换器中的同步整流。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
6. 工业自动化系统中的继电器替代方案。
IRLZ44N, AO3400A, FDP16N06L
