时间：2025/6/22 11:47:28
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NTMFD4901NFT3G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 功率集成电路。这款器件将两个独立的 MOSFET 集成在一个小型封装中，适用于需要高效功率转换、负载切换和信号放大的应用。其采用小尺寸的 LFPAK56 封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点，适合在空间受限的设计中使用。
该芯片设计用于要求高开关速度和低功耗的应用场合，例如消费电子设备中的电源管理、电机驱动以及电信设备中的负载控制等。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2x3.8A
导通电阻：1.7mΩ（典型值）
栅极电荷：17nC（典型值）
总热阻：40°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：LFPAK56
NTMFD4901NFT3G 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。
2. 两个独立的 MOSFET 集成在同一芯片上，减少了电路板空间需求。
3. 支持高达 175°C 的结温操作，使其非常适合高温环境下的应用。
4. 快速开关性能，能够有效减少开关损耗。
5. 符合 RoHS 标准，并具备出色的电气稳定性和可靠性。
6. 优化的封装设计增强了散热性能，确保长时间稳定运行。
NTMFD4901NFT3G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率级元件。
2. 电池管理系统 (BMS)，如电动工具和电动汽车中的电池保护电路。
3. 各种负载开关应用，包括 USB 充电器和适配器。
4. 工业自动化设备中的电机驱动和控制。
5. 电信基础设施中的电源管理模块。
6. 消费类电子产品中的背光驱动和音频放大器。
NTMFS4941NLT4G
IRF7739TRPBF
FDMF3172Z
