时间：2025/12/29 15:12:02
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IRLI540A是一款由Infineon Technologies（英飞凌）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、电池充电器以及各种高电流开关应用中。IRLI540A采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，能够在高频率和高负载条件下稳定工作。该MOSFET封装在TO-252（DPAK）封装中，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(VDS)：100V
最大漏极电流(ID)：28A（在TC=25°C时）
最大栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on))：0.044Ω（典型值，VGS=10V）
栅极电荷(Qg)：30nC（典型值）
漏极-源极击穿电压(BR)VDS：100V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
IRLI540A具有多个关键特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，适用于高温环境下的工作场景。此外，IRLI540A的快速开关特性使其适用于高频开关电路，有助于减小外围元件的尺寸并提升系统响应速度。该MOSFET还具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在极端条件下的可靠性。最后，由于其采用TO-252封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度的设计。
IRLI540A常用于各种高功率和高效率的电子设备中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、电源管理系统、电池充电器、逆变器、UPS系统以及工业自动化控制设备。其优异的性能也使其在汽车电子、新能源发电和LED照明驱动等领域中得到广泛应用。
IRF540A, IRLB540A, FDP540A, Si4440DY, IPD540N20N3 G
