IRLI530NPBF 是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道功率MOSFET,采用TO-252 (DPAK) 封装。该器件广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合高效能需求的应用场景。
该器件在设计上注重降低功耗,其典型特点包括低栅极电荷、低导通电阻和良好的热性能,能够显著提升电路效率并减少发热。
型号:IRLI530NPBF
封装:TO-252 (DPAK)
VDS (漏源电压):40V
RDS(on) (导通电阻,典型值):7.5mΩ
ID (连续漏极电流):39A
Qg (总栅极电荷):11nC
fT (过渡频率):2.1MHz
VGS(th) (阈值电压):2.1V
Tj (结温范围):-55°C 至 +150°C
IRLI530NPBF 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 RDS(on),仅为 7.5mΩ,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 较低的栅极电荷 Qg,使得开关损耗得以优化,从而实现高频工作。
3. 高额定电流 ID,最大可达 39A,适用于高功率密度应用。
4. 支持较宽的工作温度范围,从 -55°C 到 +150°C,确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 紧凑型 TO-252 封装设计,便于安装且具备良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
IRLI530NPBF 主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电机驱动控制,例如家用电器和工业自动化设备中的小型电机驱动。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关和保护电路。
4. 通信电源、消费电子设备以及便携式设备中的功率管理模块。
5. 可再生能源系统,如太阳能逆变器中的功率级开关元件。
IRL540N, IRLZ44N, FDP5512