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IRLI530NPBF 发布时间 时间:2025/6/29 12:42:08 查看 阅读:4

IRLI530NPBF 是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道功率MOSFET,采用TO-252 (DPAK) 封装。该器件广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合高效能需求的应用场景。
  该器件在设计上注重降低功耗,其典型特点包括低栅极电荷、低导通电阻和良好的热性能,能够显著提升电路效率并减少发热。

参数

型号:IRLI530NPBF
  封装:TO-252 (DPAK)
  VDS (漏源电压):40V
  RDS(on) (导通电阻,典型值):7.5mΩ
  ID (连续漏极电流):39A
  Qg (总栅极电荷):11nC
  fT (过渡频率):2.1MHz
  VGS(th) (阈值电压):2.1V
  Tj (结温范围):-55°C 至 +150°C

特性

IRLI530NPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 RDS(on),仅为 7.5mΩ,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 较低的栅极电荷 Qg,使得开关损耗得以优化,从而实现高频工作。
  3. 高额定电流 ID,最大可达 39A,适用于高功率密度应用。
  4. 支持较宽的工作温度范围,从 -55°C 到 +150°C,确保在恶劣环境下的可靠性。
  5. 紧凑型 TO-252 封装设计,便于安装且具备良好的散热性能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

IRLI530NPBF 主要应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
  2. 电机驱动控制,例如家用电器和工业自动化设备中的小型电机驱动。
  3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关和保护电路。
  4. 通信电源、消费电子设备以及便携式设备中的功率管理模块。
  5. 可再生能源系统,如太阳能逆变器中的功率级开关元件。

替代型号

IRL540N, IRLZ44N, FDP5512

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IRLI530NPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds800pF @ 25V
  • 功率 - 最大41W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220AB 整包
  • 包装管件
  • 其它名称*IRLI530NPBF