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BF422RLRA 发布时间 时间:2025/8/28 20:19:03 查看 阅读:6

BF422RLRA 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和高效率的特点,适用于多种开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等电路设计。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(Id):1.3 A
  最大漏极-源极电压(Vds):100 V
  最大栅极-源极电压(Vgs):±20 V
  导通电阻 Rds(on):最大 1.2 Ω @ Vgs = 10 V
  功率耗散(Ptot):1.2 W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-92、SOT23、SOT223
  晶体管配置:单晶体管

特性

BF422RLRA 是一款性能优异的功率 MOSFET,具有多项优良特性,使其在电源管理和功率控制应用中表现出色。首先,其较低的导通电阻 Rds(on) 可显著降低导通损耗,提高整体效率。其次,该器件具备较高的电压耐受能力,最大漏极-源极电压(Vds)可达 100 V,适用于中高电压的应用环境。
  此外,BF422RLRA 支持高达 ±20 V 的栅极-源极电压(Vgs),增强了栅极驱动的稳定性,避免因电压波动而导致的误操作。其最大漏极电流为 1.3 A,在小功率开关应用中表现优异,同时具备良好的热稳定性,能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作,适用于工业级和汽车电子等严苛环境。
  该器件的封装形式多样,包括 TO-92、SOT23 和 SOT223 等常用封装,便于根据电路设计需求选择合适的封装形式。SOT223 封装具备较好的散热性能,适用于较高功率密度的设计。BF422RLRA 还具有良好的抗雪崩能力,能够在异常工作条件下提供更高的可靠性。

应用

BF422RLRA 主要应用于各种功率电子系统中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机控制、LED 驱动电路以及工业自动化控制系统等。由于其具备较高的电压耐受能力和良好的导通性能,该器件特别适用于中低功率的开关控制场合。
  在电源管理领域,BF422RLRA 常用于同步整流、电源开关以及电源路径控制等应用。在消费类电子产品中,该器件可用于电源适配器、充电器以及电源管理模块。在工业设备中,它可用于继电器替代、电机驱动控制和传感器供电管理。此外,在汽车电子中,BF422RLRA 也可用于车身控制模块、车载充电系统以及车载信息娱乐系统的电源管理部分。

替代型号

BUZ105S, IRFZ44N, 2N7002, SI2302DS, FDN337N