IRLHM620 时间：2025/5/29 12:19:45 阅读：9

IRLHM620是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道功率MOSFET，采用SO-8封装形式。该器件设计用于高频开关应用场合，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电源管理和功率转换场景。其典型应用包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及便携式设备中的电池管理等。
　　IRLHM620的低导通电阻能够显著降低功耗，提高整体系统效率，同时其紧凑的封装尺寸非常适合空间受限的应用环境。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：9.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：15mΩ
　　栅极电荷：12nC
　　总电容：175pF
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SO-8

特性

IRLHM620具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下减少功率损耗。
　　2. 快速开关速度，适合高频应用，可有效降低开关损耗。
　　3. 高电流处理能力，支持高达9.6A的连续漏极电流。
　　4. SO-8封装提供良好的热性能和电气性能，同时占用较小的PCB面积。
　　5. 支持宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
　　6. 内置反向二极管，适合同步整流和其他续流二极管替代方案。

应用

IRLHM620广泛应用于以下领域：
　　1. DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。
　　2. 笔记本电脑、平板电脑及其他便携式电子设备中的负载开关。
　　3. 小型电机驱动电路，例如风扇、玩具电机等。
　　4. 开关电源（SMPS）和电池保护电路中的功率开关。
　　5. 电信和网络设备中的高效功率转换模块。
　　6. 各类工业控制及消费类电子产品中的功率管理单元。