REUCN053SL330J-2/UCN053SL330-J2是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点。其封装形式为TO-263(DPAK),适合表面贴装技术(SMT),能够有效减少电路板空间占用并提高系统的整体效率。
型号:REUCN053SL330J-2/UCN053SL330-J2
类型:N沟道增强型MOSFET
额定电压:30V
额定电流:74A
导通电阻:1.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:25nC(最大值)
输入电容:1690pF
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-263(DPAK)
这款功率MOSFET的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流应用中显著降低传导损耗。
2. 高开关速度,确保在高频开关条件下实现高效的能量转换。
3. 出色的热性能设计,支持长时间稳定运行。
4. 内置反向二极管,简化了电路设计并提高了系统的可靠性。
5. 符合RoHS标准,环保且满足全球市场要求。
6. 耐雪崩能力较强,能够在异常条件下提供额外的保护功能。
该器件适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
4. 太阳能逆变器和电池管理系统中的功率管理。
5. 各种负载开关和保护电路的设计。
由于其优异的电气特性和封装形式,该芯片特别适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。
IRFZ44N
FDP5580
STP75NF06L