IRLC3615F 时间：2025/12/26 21:08:27 阅读：7

IRLC3615F是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能N沟道功率MOSFET，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的Trench技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、优异的热性能以及高可靠性，适用于多种电源管理场景。其封装形式为PG-SOT223-4，是一种小型化表面贴装封装，适合在空间受限的应用中使用。由于其出色的电气特性和紧凑的封装尺寸，IRLC3615F广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池供电设备中。
　　该MOSFET的工作电压等级为30V，确保在低电压电源系统中有良好的安全裕度。同时，其低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss）使其能够在高频开关条件下工作，降低开关损耗，提高整体系统效率。此外，IRLC3615F符合RoHS环保标准，并具有无铅（Pb-free）和绿色器件标识，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。

参数

型号：IRLC3615F
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30 V
　　最大栅源电压(VGS)：±20 V
　　连续漏极电流(ID) @ 25°C：7.8 A
　　脉冲漏极电流(IDM)：31 A
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 10 V：22 mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 4.5 V：28 mΩ
　　栅极电荷(Qg) @ 10 V：8.5 nC
　　输入电容(Ciss) @ 1 MHz：520 pF
　　开启延迟时间(td(on))：7 ns
　　关闭延迟时间(td(off))：9 ns
　　反向恢复时间(trr)：15 ns
　　工作结温范围(Tj)：-55 至 150 °C
　　封装：PG-SOT223-4

特性

IRLC3615F采用英飞凌先进的TrenchMOS技术，具备极低的导通电阻与优异的开关性能，显著降低了传导和开关过程中的能量损耗。其RDS(on)在VGS = 10 V时仅为22 mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于提升电源系统的整体效率，尤其适用于高电流密度设计。此外，该器件的栅极电荷（Qg）低至8.5 nC，意味着驱动电路所需提供的能量更少，从而减少了驱动损耗并允许更高的工作频率，非常适合用于同步整流、多相降压变换器等对动态响应要求较高的场合。
　　该MOSFET还表现出良好的热稳定性，PG-SOT223-4封装集成了散热片，能够有效将芯片产生的热量传导至PCB，实现高效的热管理。即使在持续大电流工作条件下，也能保持较低的温升，延长器件寿命并提高系统可靠性。其快速的开关特性（开启延迟7ns，关闭延迟9ns）使得IRLC3615F在高频PWM控制应用中表现出色，可减少死区时间，提高控制精度。同时，内置体二极管具有较短的反向恢复时间（trr = 15 ns），可有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），增强系统在感性负载切换时的鲁棒性。
　　IRLC3615F具备宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +150°C），可在严苛环境温度下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子外围电路及便携式设备等多种应用场景。其±20V的栅源电压耐受能力提供了较强的抗过压冲击能力，避免因驱动信号异常导致器件损坏。整体而言，IRLC3615F是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的功率MOSFET，是现代高效电源设计中的理想选择之一。