PCPXA900B3是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的功率晶体管,主要用于高电压和高电流应用。该晶体管属于双极型晶体管(BJT)类别,采用NPN结构,能够处理高达900V的集电极-发射极电压(Vce)。PCPXA900B3具有高电流容量和良好的热稳定性,适用于需要高可靠性和高耐压能力的电源和功率控制电路。
晶体类型:NPN双极型晶体管
最大集电极-发射极电压(Vce):900V
最大集电极电流(Ic):1.5A(连续)
最大功耗(Ptot):50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220AB
增益带宽积(fT):25MHz
最大基极电流(Ib):0.15A
PCPXA900B3具有多项显著特性,使其在高压功率应用中表现出色。首先,其高达900V的集电极-发射极电压使其适用于高压电源转换器和开关电源应用。其次,该晶体管具有良好的热性能,封装设计有助于有效散热,确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。此外,PCPXA900B3的高电流容量(1.5A)使其适用于驱动继电器、电机和其他高功率负载。其增益带宽积(fT)为25MHz,表明其在中高频应用中也具有良好的响应能力。最后,PCPXA900B3的封装形式(TO-220AB)提供了良好的机械稳定性和易于安装的特性,适合工业级应用。这些特性使PCPXA900B3成为一种可靠且高效的功率晶体管,广泛应用于各种高电压和高电流控制电路。
PCPXA900B3主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统。常见应用包括开关电源(SMPS)、高压直流-直流转换器、电机驱动器、继电器驱动电路、工业自动化设备和高功率LED驱动器。由于其高耐压能力和良好的热性能,PCPXA900B3也常用于高压放大器和电源管理电路中。此外,该晶体管还可用于电力电子设备中的开关控制和负载调节功能。
PCPXA900B3的替代型号包括STMicroelectronics的STW20NM50ND、Infineon Technologies的IRF840、以及ON Semiconductor的FQA16N50。