时间：2025/6/17 6:57:27
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IRL5602STRR 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用逻辑电平驱动设计，具有较低的导通电阻和快速开关特性，适合用于各种功率转换应用。其封装形式为TO-252 (DPAK)，使其能够提供较高的电流处理能力和散热性能。
这款MOSFET广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载切换等场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：14A
导通电阻：2.9mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：1.6W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-252 (DPAK)
IRL5602STRR 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻确保了高效率的能量传输，并减少了发热。
2. 快速开关能力使得它非常适合高频应用环境。
3. 高额定电流允许在重载条件下稳定运行。
4. 宽泛的工作温度范围增强了其在极端条件下的可靠性。
5. 逻辑电平驱动设计简化了与数字控制器或微处理器接口的设计过程。
IRL5602STRR 被广泛应用于以下几个领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流元件。
3. 电动工具、家用电器以及其他便携式设备中的电机驱动电路。
4. 各种负载切换应用，如电池保护电路或汽车电子系统中的负载管理。
5. 逆变器和不间断电源（UPS）中的功率级组件。
IRL5601S, IRL5602TR
