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SK4401ATF 发布时间 时间:2025/8/5 3:20:28 查看 阅读:29

SK4401ATF 是一款由 Samsung(三星)公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效率和高功率密度的电源管理应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备较低的导通电阻(Rds(on))和出色的热性能,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等应用场景。SK4401ATF 采用 TSSOP(Thin Shrink Small Outline Package)封装形式,具有良好的散热性能和空间节省设计,适用于紧凑型电子设备。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):5.8A(在 Vgs=10V 时)
  导通电阻(Rds(on)):最大 28mΩ(在 Vgs=10V 时)
  功率耗散(Pd):2.5W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TSSOP-8

特性

SK4401ATF 具备多项优良特性,使其在功率管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。在 Vgs=10V 时,Rds(on) 最大仅为 28mΩ,有助于减少热量产生,提高功率转换效率。其次,该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,提高了电流处理能力和热稳定性,确保在高负载条件下的可靠运行。
  该 MOSFET 的 TSSOP-8 封装形式具有优异的热管理能力,能够有效散热并适应紧凑的 PCB 布局,适用于空间受限的设计。此外,SK4401ATF 具有较高的栅极电压耐受能力(±20V),提高了在复杂电磁环境中的抗干扰能力,并增强了器件的稳定性。
  其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,表明其在极端环境条件下仍能保持稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。该器件还具备快速开关特性,有助于降低开关损耗,提高整体系统效率。此外,SK4401ATF 的设计支持高频率操作,适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器,满足现代电子设备对高效率和小型化的需求。

应用

SK4401ATF 常用于多种电源管理与功率控制场合。其低导通电阻和高效率特性使其成为开关电源(SMPS)的理想选择,可用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器设计,提高整体能效并减少热量产生。此外,该器件也广泛应用于电池管理系统(BMS)和负载开关电路中,实现对电池供电设备的高效控制。
  在汽车电子领域,SK4401ATF 可用于车载充电器、电动工具和车载信息娱乐系统的电源管理模块。其宽工作温度范围和高可靠性确保其在恶劣环境中稳定运行。此外,该 MOSFET 还适用于便携式电子设备,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源转换电路,支持轻薄化设计。
  工业自动化设备、LED 照明驱动电路以及电机控制模块也是 SK4401ATF 的典型应用场景。其快速开关能力和优异的热性能使其能够在高频率和高负载条件下稳定工作,满足现代工业设备对高效率和高可靠性的需求。

替代型号

Si2302DS, TPS2R200, AO4401, IPD90P03P4-01

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