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FDB13N06A0 发布时间 时间:2025/8/24 23:19:08 查看 阅读:10

FDB13N06A0是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有较低的导通电阻和优良的热性能,能够在高电流和高电压条件下稳定运行。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大漏极电流(Id):13A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):最大值为0.035Ω(当Vgs=10V时)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):1V至2.5V
  最大功率耗散(Pd):40W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

FDB13N06A0具有多个关键特性,使其在多种功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))能够显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该MOSFET采用了先进的沟槽式结构,提高了电流密度并优化了开关性能,适用于高频率开关电路。此外,该器件的热性能优越,能够在较高工作温度下保持稳定,增强了系统可靠性和耐用性。FDB13N06A0还具备较高的抗雪崩击穿能力,能够承受短时间的过载条件。封装形式为TO-252(DPAK),适用于表面贴装工艺,节省空间并便于散热。

应用

FDB13N06A0广泛应用于多种电力电子系统中,如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、负载开关以及电池管理系统等。由于其高效率和良好的热性能,它也适用于便携式设备中的电源管理模块,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理电路。此外,该MOSFET还可用于工业自动化设备和电源适配器的设计。

替代型号

FDB13N06A0的替代型号包括FDV13N06A0、FDS13N06A0以及SiS432DN。这些型号在电气特性和封装形式上与FDB13N06A0相似,可以作为替代选项使用。

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