IRL5602SPBF 是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道增强型MOSFET。该器件采用逻辑电平驱动设计,适用于中低电压应用场合,广泛用于功率转换、负载开关、电机驱动等领域。其封装形式为SO-8(小外形晶体管),具有出色的导通电阻和开关性能,能够有效降低功耗并提升系统效率。
IRL5602SPBF 的最大特点是其较低的导通电阻以及在较宽的工作电压范围内的稳定性能表现,使得它成为许多高效能电路设计的理想选择。
漏源击穿电压:55V
连续漏极电流:37A
导通电阻(Rds(on)):1.9mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷:34nC
输入电容:1720pF
总热阻(结到环境):35°C/W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
IRL5602SPBF 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。
2. 支持逻辑电平驱动,栅极开启电压低,与大多数微控制器和逻辑芯片兼容。
3. 高峰值电流能力,适合大电流应用。
4. 良好的热稳定性,可适应较宽的工作温度范围。
5. 紧凑的 SO-8 封装节省了 PCB 布局空间。
6. 高可靠性,适用于各种工业和消费类电子设备。
这些特性使 IRL5602SPBF 成为负载开关、DC-DC 转换器、电机控制以及其他功率管理应用的理想选择。
IRL5602SPBF 可应用于以下领域:
1. 功率转换:包括降压、升压及反激式 DC-DC 转换器。
2. 负载开关:如电源分配和保护电路。
3. 电机驱动:小型直流电机、步进电机或无刷直流电机的控制。
4. 开关电源:适配器、充电器等产品中的功率开关元件。
5. 消费类电子产品:笔记本电脑、平板电脑、智能手机的内部电源管理系统。
6. 工业自动化:各类控制系统中的功率切换组件。
其卓越的电气特性和紧凑的封装使其非常适合需要高效率和高可靠性的应用场合。
IRL5601S, IRL5602G