时间：2025/7/9 16:51:53
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SH18B222K250CT是一款高性能的贴片式高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种开关和功率管理应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够有效提升电路效率并降低能耗。
该型号属于高压N沟道增强型MOSFET，主要应用于电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源极电压Vds：700V
最大栅源极电压Vgs：±20V
持续漏极电流Id：4.9A
导通电阻Rds(on)：2.5Ω（在Vgs=10V时）
总功耗Pd：18W
结温范围Tj：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252(DPAK)
SH18B222K250CT具备以下显著特性：
1. 高耐压能力：高达700V的漏源极电压，使其能够在高电压环境中稳定工作。
2. 低导通电阻：在标准测试条件下，导通电阻仅为2.5Ω，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关性能：具备较低的输入电容和输出电容，支持高频开关操作。
4. 热稳定性强：能够承受较高的结温范围，确保在极端环境下的可靠性。
5. 小型化设计：采用TO-252封装，体积小巧，便于PCB布局和散热设计。
6. 高可靠性：通过了严格的工业级认证，适合长时间连续运行的应用场景。
SH18B222K250CT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括AC-DC和DC-DC转换器，用于消费类电子产品和工业设备。
2. 电机控制：适用于家用电器、电动工具中的无刷直流电机驱动。
3. 负载开关：用作电池供电设备中的负载切换元件。
4. 电磁阀驱动：在工业自动化和汽车电子中用于控制电磁阀的开关。
5. 逆变器和UPS系统：提供高效、稳定的功率转换功能。
STP70NF06L, IRFZ44N, FQP18N10
