BSC037N08NS5 时间：2025/4/30 17:52:02 阅读：18

BSC037N08NS5 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沒尔金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 SMD 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于各种功率转换应用。这款 MOSFET 主要用于高效能电源管理领域，如 DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。

参数

最大漏源电压（Vds）：80V
　　连续漏极电流（Id）：46A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.7mΩ
　　栅极电荷（Qg）：27nC
　　总功耗（Ptot）：19W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C to +175°C

特性

BSC037N08NS5 具有低导通电阻和优化的开关性能，能够有效降低传导损耗和开关损耗。
　　其封装形式为 SuperSO8，具有出色的散热性能和较小的占板面积。
　　此外，该器件还具备较高的雪崩能力和 ESD 保护功能，增强了系统的可靠性和稳定性。
　　快速开关特性使得 BSC037N08NS5 在高频应用中表现出色，适合于对效率要求较高的场景。
　　通过先进的制造工艺，确保了产品的一致性和高质量标准。

应用

BSC037N08NS5 广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
　　在消费电子方面，它可用于笔记本电脑适配器、USB-PD 充电器和 LED 驱动器。
　　在工业领域，这款 MOSFET 适合于无刷直流电机（BLDC）驱动、太阳能微型逆变器以及不间断电源（UPS）系统。
　　同时，在汽车电子中，BSC037N08NS5 可以用于车载充电器、DC-DC 转换器以及车身控制系统中的负载切换。