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HYMP512U64CP8-Y5 发布时间 时间:2025/9/2 5:44:34 查看 阅读:5

HYMP512U64CP8-Y5 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款高性能、低功耗的移动DDR SDRAM(mDDR)芯片,专为移动设备和嵌入式系统设计。该芯片具有512MB的存储容量,采用x16的数据宽度,工作电压为1.5V,并且支持低功耗自刷新(Self-Refresh)和深度掉电模式,非常适合需要延长电池寿命的便携式电子产品。HYMP512U64CP8-Y5通常用于智能手机、平板电脑、导航设备和其他需要高性能内存的嵌入式应用。

参数

容量:512MB
  数据宽度:x16
  电压:1.5V
  封装类型:FBGA
  引脚数:168
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:并行
  时钟频率:高达200MHz
  封装尺寸:9mm x 13mm
  内存类型:LPDDR SDRAM

特性

HYMP512U64CP8-Y5 是一款基于LPDDR(低功耗双倍数据速率)技术的存储芯片,具备多种先进的节能功能,如自动预充电、自刷新和深度掉电模式,能够显著降低功耗,提高设备续航能力。该芯片采用小型FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)封装,适合高密度电路板布局。
  其工作频率最高可达200MHz,提供高达3.2Gbps的数据带宽,满足高性能应用需求。此外,HYMP512U64CP8-Y5 支持双向数据选通(DQS),以提高数据传输的准确性,并具备良好的信号完整性,确保在高速运行时的稳定性。
  该芯片的工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于各种严苛环境下的应用,包括工业控制、车载系统和户外设备。

应用

HYMP512U64CP8-Y5 主要应用于需要高性能、低功耗内存的移动设备和嵌入式系统。常见用途包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、GPS导航设备、数码相机以及嵌入式计算平台。由于其优异的低功耗性能和稳定性,它也适用于需要长时间运行而无需频繁充电的工业设备、医疗设备和物联网(IoT)设备。

替代型号

MT48LC16M16A2B4-6A、EM68A160TS-5G、KFR85S008M-X0CE1

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