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IXTV130N15T 发布时间 时间:2025/8/6 4:36:39 查看 阅读:26

IXTV130N15T是一款由IXYS公司制造的高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高电流和高电压特性的应用场合。这款晶体管设计用于高效的功率转换和管理,适用于诸如电源、电机控制、逆变器和各种工业自动化设备。

参数

类型:功率MOSFET
  最大漏极电流:130A
  最大漏-源电压:150V
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.024Ω
  封装类型:TO-247AC
  工作温度范围:-55°C至175°C
  栅极电荷(Qg):典型值为80nC

特性

IXTV130N15T具有较低的导通电阻,从而减少了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。此外,该MOSFET具有较高的热稳定性,能够在较恶劣的工作环境下保持稳定性能。它的封装设计有利于散热,提高了器件的可靠性。该晶体管还具有快速开关特性,有助于减少开关损耗,适合高频应用。此外,其栅极电荷较低,有助于提高开关速度和减少驱动电路的负担。

应用

IXTV130N15T广泛应用于工业控制、电源供应、不间断电源(UPS)、电动车辆的充电系统、太阳能逆变器以及各种高功率电子设备中。由于其高电流和高电压承受能力,它也非常适合用于电机驱动和电子负载管理。

替代型号

IXFH130N15T, IXFK130N15T

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IXTV130N15T参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C130A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3(SMT)标片
  • 供应商设备封装PLUS220
  • 包装管件