URA4815LD-30WR3是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺设计。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景中,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其封装形式为TO-263(DPAK),能够有效提升散热性能并支持高电流操作。
该型号属于N沟道增强型MOSFET,适用于多种工业和消费类电子产品中的功率控制需求。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:30A
导通电阻:4.5mΩ
总功耗:170W
结温范围:-55℃ to +175℃
封装类型:TO-263
URA4815LD-30WR3具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗。
2. 快速的开关速度,适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件的可靠性。
4. 内置ESD保护功能,提高了抗静电能力。
5. 支持大电流工作,确保在高负载条件下的稳定运行。
6. 优化的热性能,使其能够在恶劣环境下保持高效运作。
这些特点使该器件成为需要高效率和高可靠性的功率转换应用的理想选择。
URA4815LD-30WR3广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率级控制。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的功率管理。
5. 汽车电子系统中的负载切换。
由于其出色的电气特性和散热性能,这款MOSFET在要求紧凑设计和高效能的应用场合表现尤为突出。
IRA4815LD-30WR3
FDA4815LD-30WR3
STRA4815LD-30WR3