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IRL510A 发布时间 时间:2025/6/22 14:09:33 查看 阅读:4

IRL510A 是一款由英飞凌(Infineon)推出的增强型 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装,广泛应用于需要高效开关性能的电路中,例如电机驱动、电源转换和负载切换等场景。它具有低导通电阻和高开关速度的特点,使其在各种功率应用中表现出色。
  IRL510A 的设计结合了低功耗和优异的热特性,非常适合用于空间有限且对效率要求较高的设计。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:36A
  导通电阻:7.5mΩ
  栅极电荷:29nC
  总电容:1240pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRL510A 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流条件下减少功率损耗。
  2. 高效的开关性能,得益于其较低的栅极电荷和快速的开关速度。
  3. 热稳定性强,适合长时间在高温环境下运行。
  4. 优化的封装设计,增强了散热性能并简化了 PCB 布局。
  5. 可靠性高,能够承受瞬态电压和电流冲击。
  这些特性使 IRL510A 成为众多功率应用的理想选择,尤其在需要高频开关和低功耗的情况下表现突出。

应用

IRL510A 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 直流电机控制和驱动。
  3. 电池管理系统的负载切换。
  4. LED 驱动器中的电流调节元件。
  5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
  由于其出色的电气特性和可靠性,IRL510A 在消费电子、汽车电子和工业控制等领域均有广泛应用。

替代型号

IRL510,
  AO3400,
  FDMT8811,
  Si4892DY

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IRL510A参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C440 毫欧 @ 2.8A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds235pF @ 25V
  • 功率 - 最大37W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件