IRL510A 是一款由英飞凌(Infineon)推出的增强型 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装,广泛应用于需要高效开关性能的电路中,例如电机驱动、电源转换和负载切换等场景。它具有低导通电阻和高开关速度的特点,使其在各种功率应用中表现出色。
IRL510A 的设计结合了低功耗和优异的热特性,非常适合用于空间有限且对效率要求较高的设计。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:36A
导通电阻:7.5mΩ
栅极电荷:29nC
总电容:1240pF
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
IRL510A 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流条件下减少功率损耗。
2. 高效的开关性能,得益于其较低的栅极电荷和快速的开关速度。
3. 热稳定性强,适合长时间在高温环境下运行。
4. 优化的封装设计,增强了散热性能并简化了 PCB 布局。
5. 可靠性高,能够承受瞬态电压和电流冲击。
这些特性使 IRL510A 成为众多功率应用的理想选择,尤其在需要高频开关和低功耗的情况下表现突出。
IRL510A 广泛应用于多种领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 直流电机控制和驱动。
3. 电池管理系统的负载切换。
4. LED 驱动器中的电流调节元件。
5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其出色的电气特性和可靠性,IRL510A 在消费电子、汽车电子和工业控制等领域均有广泛应用。
IRL510,
AO3400,
FDMT8811,
Si4892DY