LQW18AN20NG00D 是一款由罗姆(ROHM)公司生产的功率 MOSFET,采用 UMPS 封装形式。该器件专为高效开关应用设计,具备较低的导通电阻和出色的开关性能,适用于需要高效率、高可靠性的电力电子设备。
其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性,这使得它在电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景中表现优异。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:42A
导通电阻(Rds(on)):1.3mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷(Qg):75nC
输入电容(Ciss):4900pF
输出电容(Coss):130pF
反向恢复时间(trr):45ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
LQW18AN20NG00D 具备非常低的导通电阻,能够显著降低导通损耗并提高整体系统效率。同时,其快速的开关速度和优化的栅极电荷,可减少开关损耗并提升动态性能。
此外,该功率 MOSFET 还具有较高的雪崩耐量和坚固的短路能力,能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。它的封装设计也提供了良好的散热性能,适合高功率密度的应用环境。
这款器件非常适合用在要求高效率、高可靠性的场景中,例如工业电源、电动工具、太阳能逆变器等。
LQW18AN20NG00D 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动与控制
- 工业自动化设备
- 太阳能逆变器
- 电动工具和家电驱动
由于其卓越的性能和可靠性,这款功率 MOSFET 成为众多工程师在高功率应用中的首选。
LQW18AN20NG00DS,
LQW18AN20NG00DT,
IRFZ44N,
FDP150N06L