时间：2025/7/12 15:59:21
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IRL3103STRR 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型化的PowerTrench技术制造，适用于需要低导通电阻和快速开关速度的应用场景。它通常用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他功率管理应用中。
这款MOSFET的封装形式为SO-8，具有较高的电气性能和热性能，能够满足各种工业和消费类电子设备的需求。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：9.2A
导通电阻（Rds(on)）：5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：7nC（典型值）
输入电容：1260pF（典型值）
开关时间：ton=12ns，toff=25ns（典型值）
工作结温范围：-55°C至+150°C
IRL3103STRR的主要特点是其超低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高效率。此外，该器件还具备快速的开关速度，可有效降低开关损耗。
其PowerTrench工艺确保了良好的散热性能和高可靠性，使其非常适合高频开关应用。同时，由于采用了SO-8封装，IRL3103STRR易于焊接和集成到电路板上。
该器件支持多种保护功能的设计，例如过流保护和短路保护，增强了系统的安全性。此外，它的低栅极电荷特性也有助于驱动电路设计中的能耗优化。
IRL3103STRR广泛应用于各类功率转换和控制场合，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源（SMPS）中的同步整流
- 电机驱动电路中的功率级
- 电池管理系统（BMS）中的负载切换
- DC-DC转换器中的开关元件
- 各种工业自动化设备中的功率管理模块
由于其低导通电阻和快速开关能力，该器件在高效率、紧凑型设计中表现尤为出色。
IRL3103TRPbF, IRL3103STR
