时间：2025/9/1 17:27:59
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H9TQ17ABJTACUR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、低功耗的NAND闪存芯片，主要应用于需要大容量数据存储的嵌入式系统和便携式设备中。该芯片采用Toshiba的BiCS FLASH（3D NAND）技术，提供出色的读写性能和数据保持能力。
类型：NAND闪存
容量：128GB
接口：ONFI 4.0 / Toggle Mode 2.0
电压：1.8V / 3.3V
封装类型：TSOP
封装尺寸：52引脚 TSOP
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
位宽：8位
擦除块大小：3.5MB
页面大小：16KB
H9TQ17ABJTACUR 采用了先进的3D NAND技术，提供更高的存储密度和更低的功耗。其ONFI 4.0和Toggle Mode 2.0双接口支持，使它在不同的系统架构中都能实现高效的读写性能。该芯片还具备高可靠性和长寿命，支持超过3000次的编程/擦除周期（P/E cycles），并且具有较高的数据保持能力，通常可达10年以上。
此外，H9TQ17ABJTACUR 在设计上优化了错误校正（ECC）能力，能够适应各种复杂的环境条件，适用于工业级和消费级应用。其TSOP封装形式适用于标准的PCB组装工艺，便于集成到多种嵌入式系统中。
这款NAND闪存芯片支持多种高级功能，如坏块管理、磨损均衡、垃圾回收等，确保系统的稳定运行。它还支持低功耗模式，适用于对功耗敏感的移动设备和物联网（IoT）应用。
H9TQ17ABJTACUR 主要用于需要大容量、高速存储的嵌入式系统，如智能手机、平板电脑、固态硬盘（SSD）、嵌入式多媒体卡（eMMC）、UFS存储模块、车载信息娱乐系统、工业计算机、智能电视和数字录像设备等。其高可靠性和宽温工作范围也使其适用于严苛环境下的工业控制和数据采集系统。
H9TQ17ABJTACUR 的替代型号包括 H9TQ17ABJTUMUR 和 H9TQ17ABJTACUR-KMM。
