K1203AR 时间：2025/8/18 10:09:17 阅读：26

K1203AR是一款由韩国厂商Kec Corporation生产的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET主要用于需要高效率和高性能的电源管理应用，如DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及电池供电设备。K1203AR具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适用于中高功率的电子系统。该器件采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，便于在各种电路中进行安装和使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：30V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：110A
　　导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　功率耗散(Pd)：83W

特性

K1203AR具备多项优异的电气和物理特性，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先，它的导通电阻非常低，典型值仅为3.5mΩ，这意味着在高电流条件下，该器件的功耗较低，从而提高了整体系统的效率并减少了发热。其次，它能够承受高达30V的漏极-源极电压，具有良好的电压耐受能力，适合用于多种电源管理电路。此外，K1203AR的最大连续漏极电流为110A，能够支持高功率负载的需求。该器件的工作温度范围较宽，可在-55°C至150°C之间正常工作，适用于各种恶劣的环境条件。K1203AR采用TO-252（DPAK）封装，这种封装形式不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，便于在PCB上安装和使用。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计。最后，K1203AR具有较高的可靠性，能够在长时间运行中保持稳定的性能，是高要求应用中的理想选择。

应用

K1203AR广泛应用于需要高效功率管理的电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，它可以作为主开关器件，用于提高转换效率并减小电路体积。在电机控制系统中，K1203AR可用于驱动直流电机或步进电机，提供高效的功率输出。此外，该器件也常用于电池管理系统（BMS），作为充放电控制开关，确保电池的安全运行。K1203AR还可用于电源管理模块、负载开关、逆变器以及各种电源适配器等应用场合。由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET在需要高效率和高可靠性的工业控制设备中也有广泛应用。