时间：2025/7/22 22:39:40
阅读：6
MK48T08B-10 是由 Microsemi（原 Actel）公司生产的一款低功耗静态随机存取存储器（SRAM）芯片，具有非易失性特性，通常用于需要数据保留功能的应用中。该芯片内置锂电池，能够在断电情况下保持数据不丢失，适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等领域。
容量：8K x 8 位
电压范围：4.75V 至 5.25V
访问时间：10ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：28 引脚 DIP 或 SOIC
数据保持电流：最大 10μA
读取电流：最大 160mA
写入电流：最大 200mA
MK48T08B-10 是一款具有内置锂电池的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM），其核心优势在于在断电状态下仍能保持存储数据不丢失。该芯片采用先进的 CMOS 技术制造，具备高速访问能力，访问时间仅需 10ns，能够满足对性能要求较高的系统需求。
该芯片的工作电压范围为 4.75V 至 5.25V，确保了在各种供电环境下的稳定运行。其超低的数据保持电流（最大 10μA）使得在电池供电模式下能够长时间维持数据完整性，延长了电池的使用寿命。此外，MK48T08B-10 提供了标准的 28 引脚 DIP 或 SOIC 封装，方便在多种 PCB 设计中集成。
该器件支持标准的异步 SRAM 接口，具备简单的地址和数据总线配置，适用于各种微控制器或嵌入式系统的扩展存储需求。由于其非易失性特点，MK48T08B-10 常被用于需要频繁写入和读取数据且要求数据安全的应用场景，如工业控制系统、通信设备、数据采集系统和智能仪表等。
MK48T08B-10 适用于需要非易失性存储器的各类嵌入式系统，尤其是在断电后需要保留关键数据的场合。常见的应用包括工业自动化控制、网络通信设备、智能电表、医疗仪器、数据记录器以及航空航天电子系统等。其高速访问和低功耗数据保持特性使其成为替代传统 EEPROM 和 Flash 存储器的理想选择。
DS12887A、DS1643、STACEE-128K、MK48T12B
