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IRL3102STRL 发布时间 时间:2025/7/8 15:34:42 查看 阅读:18

IRL3102STRL是一款N沟道增强型功率MOSFET,由英飞凌(Infineon)生产。该器件采用小型的TO-252封装形式,广泛应用于需要高效能和低导通电阻的场合。IRL3102STRL主要特点包括其极低的导通电阻、快速开关速度以及高电流承载能力,适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理等应用领域。
  该芯片在低压应用中表现出色,能够满足便携式设备和消费类电子产品的电源管理需求。

参数

最大漏源电压:20V
  最大连续漏极电流:60A
  导通电阻(Rds(on)):3.8mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极-源极电压范围:±20V
  总功耗:14W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

IRL3102STRL以其出色的电气性能而著称,以下是其主要特性:
  1. 极低的导通电阻使其非常适合于低损耗应用,并减少发热问题。
  2. 高电流处理能力允许它在大功率场景下稳定运行。
  3. 快速开关速度有助于提高效率并减少电磁干扰(EMI)。
  4. 工作温度范围宽广,能够适应各种恶劣环境条件。
  5. 具有较高的雪崩击穿能量,增强了器件的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,确保环保合规性。
  7. 小型封装设计节省了电路板空间,便于集成到紧凑型产品中。

应用

IRL3102STRL因其优异的性能被广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC转换器和开关模式电源(SMPS),用于提升效率和稳定性。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 汽车电子系统,例如电池管理系统和辅助驾驶功能模块。
  4. 负载开关和保护电路,保障系统的安全运行。
  5. 通信设备中的信号调节与功率分配。
  6. 可再生能源解决方案,如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换部分。

替代型号

IRL3103S, IRL3104S, IRL3105S

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IRL3102STRL参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C61A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 37A,7V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 15V
  • 功率 - 最大89W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)