时间：2025/9/12 13:43:04
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KMB4D0N30SA是一种金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于高功率和高频率应用。这种MOSFET采用了先进的制造工艺，具有出色的导通电阻和开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器和电机控制等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.035Ω
功率耗散（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23
KMB4D0N30SA MOSFET具有低导通电阻，可以减少功率损耗并提高效率。其快速开关特性使其适用于高频应用，同时具有良好的热稳定性和可靠性。此外，该器件的封装设计有助于散热，从而提高整体性能和使用寿命。
在应用中，KMB4D0N30SA能够提供稳定的电流控制，适用于电池供电设备和电源管理系统。其低栅极电荷特性也有助于减少开关损耗，提高系统的能效。该器件的设计确保了在各种工作条件下都能保持高性能表现。
KMB4D0N30SA广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池充电电路。此外，它还适用于工业自动化设备、消费电子产品和汽车电子系统，提供高效的功率控制解决方案。
KMB4D0N30SA的替代型号包括Si4460BDY和IRLML6402。
