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IRL3102SPBF 发布时间 时间:2025/5/23 9:51:48 查看 阅读:16

IRL3102SPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用小型的SO-8封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。它通常用于低压应用场合,如电机驱动、电源管理模块、负载切换、DC-DC转换器以及电池供电设备等。

参数

最大漏源电压:30V
  最大连续漏极电流:6.9A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:1.4W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SO-8

特性

IRL3102SPBF是一款高性能的MOSFET器件,具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗并提升效率。
  2. 快速开关性能,适用于高频开关电路。
  3. 高雪崩能力,能够承受瞬态过压条件。
  4. 符合RoHS标准,环保且适合现代电子设计要求。
  5. 小型SO-8封装,节省PCB空间。
  6. 逻辑电平驱动兼容性,方便与各类控制器搭配使用。
  7. 宽泛的工作温度范围,适合多种恶劣环境下的应用。

应用

IRL3102SPBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源和DC-DC转换器中的功率开关元件。
  2. 电机控制和驱动电路中的负载切换。
  3. 电池保护电路中的充放电控制。
  4. 各类消费类电子产品中的负载管理。
  5. 工业自动化设备中的信号隔离和功率传输。
  6. 汽车电子中的低边开关或继电器替代方案。
  7. 便携式设备中的高效能耗管理组件。

替代型号

IRLZ34NPBF, IRLB3020PBF, FDP5512

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IRL3102SPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C61A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 37A,7V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 15V
  • 功率 - 最大89W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL3102SPBF