FMH35N60S1 时间：2025/12/28 9:13:40 阅读：16

FMH35N60S1是一款由富满微电子（Fuman Microelectronics）推出的高电压、大电流N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等电力电子领域。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，能够在高达600V的漏源电压下稳定工作，适合于高压功率转换场景。其封装形式通常为TO-220或TO-220F，具备良好的散热性能和机械强度，适用于工业级环境下的长期运行。
　　这款MOSFET的设计重点在于在保持高击穿电压的同时优化导通损耗与开关损耗之间的平衡，从而提升整体系统效率。FMH35N60S1具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于减少驱动损耗和提高高频工作能力。此外，器件内部集成了快速体二极管，能够有效处理反向电流，在桥式电路和感性负载应用中表现优异。由于其优良的雪崩能量耐受能力和抗di/dt能力，FMH35N60S1在面对瞬态过压和电流冲击时表现出较强的鲁棒性，增强了系统的可靠性。

参数

型号：FMH35N60S1
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：35A（25°C）
　　连续漏极电流（Idc）：35A
　　脉冲漏极电流（Idm）：140A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.075Ω @ Vgs=10V, Id=17.5A
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：典型值90nC
　　输入电容（Ciss）：典型值2800pF
　　输出电容（Coss）：典型值180pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

特性

FMH35N60S1具备多项优异的电气与热力学特性，使其在高压功率MOSFET市场中占据重要地位。首先，其600V的高漏源击穿电压确保了在PFC电路、AC-DC电源和LED恒流驱动等高压应用中的安全运行。同时，低至0.075Ω的导通电阻显著降低了导通期间的功率损耗，提升了能效，尤其在大电流负载条件下优势明显。该器件采用优化的晶圆设计，有效减小了寄生电感和电阻，提高了开关速度，并降低了开关过程中的能量损耗。
　　其次，FMH35N60S1具有较低的栅极驱动需求，典型栅极电荷仅为90nC，这意味着使用较小的驱动电流即可实现快速开关动作，适用于高频PWM控制场合。其输入电容和输出电容均经过优化设计，有助于减少电磁干扰（EMI）并提高系统稳定性。此外，器件的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr约45ns），可有效抑制因反向恢复引起的电压尖峰，避免对其他元件造成损害，特别适用于半桥、全桥拓扑结构。
　　热管理方面，FMH35N60S1支持宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），结合TO-220封装的良好散热性能，可在高温环境下长期稳定运行。器件还通过了多项国际可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）和温度循环测试，确保在严苛工况下的耐用性。其高雪崩能量等级也增强了在电压突变或负载突变情况下的自我保护能力，进一步提升了系统安全性。

应用

FMH35N60S1广泛应用于各类中高功率电力电子设备中。在开关电源（SMPS）领域，常用于反激式、正激式及LLC谐振变换器的主开关管，尤其适用于200W至1000W功率等级的AC-DC适配器、服务器电源和工业电源模块。在PFC（功率因数校正）电路中，作为升压斩波开关使用，可有效提升系统功率因数并降低谐波失真，满足能源效率标准如80 PLUS认证要求。
　　此外，该器件也适用于DC-DC转换器，特别是在高压输入场合，如太阳能逆变器前端、通信电源系统等。在逆变器应用中，FMH35N60S1可用于单相或三相逆变桥臂，驱动电机或并网发电设备。由于其具备良好的动态响应特性和热稳定性，也可用于感应加热、焊机电源和UPS不间断电源系统中。
　　在消费类电子领域，FMH35N60S1被用于大功率LED照明驱动电源，提供稳定的恒流输出。其高可靠性和长寿命特点也使其成为工业自动化、电动汽车充电桩辅助电源以及家电变频控制模块的理想选择。