IRKT92/06 时间：2025/12/26 21:22:34 阅读：15

IRKT92/06是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的Trench技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能以及良好的热稳定性，适用于多种电源管理和功率转换场景。IRKT92/06特别适合在中等电压、大电流的应用中工作，例如DC-DC转换器、电机驱动电路、电源逆变器以及工业控制设备等。其封装形式为TO-220AB，具备良好的散热能力，能够在高温环境下稳定运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。
　　由于采用了优化的晶圆结构和封装设计，IRKT92/06在保证高性能的同时也提升了系统的可靠性与耐用性。它能够承受较高的脉冲电流，并具备一定的抗雪崩能力，增强了在恶劣工况下的鲁棒性。该MOSFET通常用于替代其他类似规格的功率管，在成本与性能之间实现了良好平衡，是许多电源系统工程师在进行产品设计时的重要选择之一。

参数

型号：IRKT92/06
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600 V
　　最大连续漏极电流（ID）：9.2 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：37 A
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　最大导通电阻（RDS(on)）：0.85 Ω @ VGS = 10 V
　　阈值电压（VGS(th)）：3.0 V ~ 5.0 V
　　栅极电荷（Qg）：64 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：1300 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：—
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：TO-220AB
　　安装方式：通孔安装

特性

IRKT92/06采用英飞凌成熟的高压TrenchMOS技术，具备出色的电气性能和热管理能力。其核心优势之一在于低导通电阻（RDS(on)），典型值仅为0.85 Ω，在600V耐压等级的MOSFET中处于较优水平，这显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率，尤其适用于高频开关电源设计。同时，该器件拥有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达9.2A，短时脉冲电流甚至可达到37A，使其能够应对瞬态负载变化或启动冲击等复杂工况。
　　该MOSFET的开关特性表现优异，具备较低的栅极电荷（Qg = 64nC）和输入电容（Ciss = 1300pF），有助于减少驱动电路的功耗并加快开关速度，从而进一步提升电源转换效率。由于开关速度快且寄生参数控制良好，IRKT92/06在硬开关拓扑如反激式、正激式或LLC谐振变换器中均能实现高效运行。此外，其具备良好的抗雪崩能力，能够在过压或感性负载关断时吸收一定能量而不损坏，提升了系统的安全性和可靠性。
　　从热性能角度看，TO-220AB封装提供了较大的金属背板面积，便于安装散热片，有效传导芯片产生的热量，确保在高功率密度应用中保持较低的工作温度。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛环境条件，包括工业自动化、户外电源设备及家电变频器等领域。另外，IRKT92/06具有稳定的阈值电压范围（3~5V），兼容常见的PWM控制器输出逻辑电平，简化了驱动电路设计。整体而言，这款MOSFET在性能、可靠性和性价比方面达到了良好平衡，是中高端功率应用中的理想选择之一。