时间：2025/9/14 20:53:10
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PSMN6R0-30YLDX是一款由Nexperia（安世半导体）推出的高性能功率MOSFET器件，采用Trench技术制造，具备优异的导通和开关性能。该器件广泛用于汽车电子、电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等应用。PSMN6R0-30YLDX采用小型无铅DFN2020D-8（SOT1123）封装，适合高密度PCB设计，并符合AEC-Q101汽车级可靠性标准。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
漏极电流（ID）：6A
导通电阻（RDS(on)）：6mΩ（在VGS=10V时）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：DFN2020D-8 (SOT1123)
安装类型：表面贴装
功率耗散（Ptot）：4.5W
PSMN6R0-30YLDX具有低导通电阻和优异的热性能，使其在高电流应用中表现出色。其采用先进的Trench MOSFET工艺，提供更低的开关损耗和更高的效率。该器件支持高频率开关操作，适用于电源转换效率要求较高的设计。此外，DFN封装具备良好的散热性能，同时减少了封装尺寸，有利于实现更紧凑的电路布局。
该MOSFET具备良好的稳定性和可靠性，尤其适用于汽车电子系统中对器件寿命和稳定要求极高的场景。其AEC-Q101认证确保了在极端温度和工作条件下的长期稳定性。PSMN6R0-30YLDX还具备低栅极电荷（Qg）特性，有助于降低驱动损耗，提高系统能效。
此器件在负载开关和同步整流应用中表现优异，能够在低电压高电流的环境下维持稳定的性能。同时，其坚固的结构设计和优良的短路耐受能力，使其在各种严苛环境下仍能保持正常工作。
PSMN6R0-30YLDX广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统、电池管理系统等。此外，它也适用于工业电源、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及各种高密度电源管理电路。该器件的高效能特性使其成为现代高效电源设计中的理想选择。
PSMN5R8-30YLDX, PSMN7R3-30YLDX, BUK9M6R6-30A, BUK9M5R8-30A
