时间：2025/5/19 13:54:18
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VO615A-4是Vishay公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电力电子应用场合。VO615A-4在高效率、高性能的电源管理设计中表现出色，尤其是在DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用领域。
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：13.8A
导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ（在VGS=10V时）
总功耗(PD)：92W
结温范围(TJ)：-55℃至+175℃
热阻(θJA)：30℃/W
VO615A-4具有非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
该器件的快速开关性能使得其非常适合高频开关应用，同时能有效降低开关损耗。
具备较高的雪崩击穿能量，增强了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
采用TO-220封装形式，便于散热处理和安装使用。
符合RoHS标准，绿色环保无铅设计。
VO615A-4广泛应用于各类需要高效功率转换和控制的场景，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源(SMPS)，如AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，在通信设备及工业自动化中提供稳定电源。
3. 电机驱动电路，支持直流无刷电机及其他类型电机的精确控制。
4. 负载开关，用于便携式电子设备中的电源管理。
5. 电池保护电路，确保锂电池等储能设备的安全运行。
IRF540N, SI4880DP, FDP16N6
