时间:2025/12/26 19:05:50
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IRKL142-12是一款由Infineon Technologies(英飞凌)生产的高性能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术,具备低导通电阻、优异的开关性能和良好的热稳定性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效能功率开关的场合。IRKL142-12属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式为TO-252(DPAK),便于在中等功率密度的应用中实现良好的散热性能与焊接可靠性。该器件广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等领域。其设计注重节能与小型化,符合现代电子系统对高能效和紧凑布局的需求。此外,IRKL142-12具有较高的雪崩能量耐受能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定运行,提升了系统的整体鲁棒性。
该MOSFET的工作电压等级为120V,适合用于12V至48V的母线电压系统,例如服务器电源、LED驱动电源或电动工具中的功率控制模块。其低栅极电荷和输入电容特性使其在高频开关应用中表现出色,有助于降低开关损耗并提高转换效率。同时,器件内部结构经过优化,减小了寄生参数的影响,从而进一步提升动态响应性能。由于其可靠的制造工艺和严格的质量控制标准,IRKL142-12在长期运行中表现出良好的一致性和耐用性,是许多中等功率开关电路中的理想选择之一。
型号:IRKL142-12
制造商:Infineon Technologies
器件类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):120V
最大连续漏极电流(Id):38A @ 25°C
最大脉冲漏极电流(Idm):150A
最大功耗(Ptot):125W
导通电阻(Rds(on)):12.5mΩ @ Vgs=10V, Id=19A
栅极阈值电压(Vgs(th)):2.0V ~ 4.0V
栅极电荷(Qg):62nC @ Vds=60V, Id=19A
输入电容(Ciss):2080pF @ Vds=25V
反向恢复时间(trr):30ns
工作结温范围(Tj):-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-252 (DPAK)
IRKL142-12采用了英飞凌先进的沟槽栅极MOSFET技术,这种结构通过在硅片上刻蚀出垂直沟道来显著增加单位面积内的导电通道数量,从而有效降低导通电阻(Rds(on))。低Rds(on)意味着在相同电流下产生的I2R损耗更小,这对于提高电源系统的整体效率至关重要。尤其是在大电流应用场景中,如DC-DC降压变换器或同步整流电路,这种低导通损耗直接转化为更低的温升和更高的能量利用率。此外,该器件的Rds(on)随温度的变化相对平缓,确保了在高温环境下仍能维持较好的性能表现。
该MOSFET具备出色的开关特性,得益于其较低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss),使得驱动电路所需的驱动功率减少,从而简化了栅极驱动设计,并允许更高的开关频率运行。高开关频率有利于减小外围无源元件(如电感和电容)的尺寸,进而实现电源系统的微型化。同时,快速的开关速度配合较短的反向恢复时间(trr),减少了体二极管反向恢复带来的尖峰电流和电磁干扰问题,提升了系统在硬开关拓扑中的可靠性。
IRKL142-12还具有优异的热性能。TO-252封装不仅提供了良好的机械稳定性,而且通过底部导热片可将热量有效地传导至PCB上的散热焊盘或外接散热器,增强了热管理能力。这使得器件在持续高负载工况下也能保持较低的工作结温,延长使用寿命。此外,器件经过严格的雪崩测试认证,具备一定的单脉冲和重复脉冲雪崩能量承受能力,能够在突发电压冲击(如电感负载断开)时避免损坏,增强了系统的故障容忍度。
该器件符合RoHS环保标准,并支持无铅回流焊接工艺,适应现代绿色电子产品制造要求。其高度集成的设计减少了对外部保护元件的依赖,在成本和空间受限的应用中尤为有利。综合来看,IRKL142-12凭借其低损耗、高效率、强健的电气与热性能,成为众多中功率电力电子系统中值得信赖的核心开关元件。
IRKL142-12广泛应用于多种需要高效、可靠功率开关的电子系统中。在电源管理领域,它常用于开关模式电源(SMPS)、AC-DC和DC-DC转换器中,特别是在同步整流拓扑中作为主开关或整流开关使用,以提升转换效率并降低热损耗。其120V的击穿电压等级使其非常适合用于48V通信电源系统或工业自动化设备中的中间母线转换器。
在电机驱动应用中,该MOSFET可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路,提供快速响应和低导通损耗的电流控制能力。由于其能够承受高达150A的脉冲电流,因此也适用于启动电流较大的电动工具、园林设备或轻型电动车的控制器模块。
在消费类电子产品中,IRKL142-12可用于笔记本电脑适配器、台式机电源单元(PSU)或LED照明驱动电源,帮助实现更高的能效等级(如80 PLUS认证)。此外,在电信基础设施中,该器件可用于基站电源模块或光网络单元(ONU)的供电电路,保障长时间稳定运行。
汽车电子方面,尽管该器件并非AEC-Q101认证车规级产品,但仍可用于部分车载辅助电源系统,如车载充电器、DC-DC降压模块或车载照明控制系统,前提是系统设计充分考虑了环境应力与可靠性裕量。总之,IRKL142-12凭借其优良的电气特性和稳健的封装设计,已成为工业、消费及通信领域中广泛应用的通用型中压MOSFET解决方案之一。
IRF142-12
SPB12N120CFHG
FQP12N120
STP12NF120
TK12A60U