时间：2025/6/11 9:51:04
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RTF025N03是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其典型应用包括开关电源、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及各种功率转换电路。
RTF025N03的额定电压为30V，适合中低压应用场景。由于其出色的电气特性和可靠性，这款MOSFET在消费电子、工业控制及汽车电子领域均有广泛应用。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±10V
连续漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：3.6mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：97W
结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于降低导通损耗，提高效率。
2. 高开关速度，能够满足高频开关应用的需求。
3. 较大的漏极电流承载能力，适用于大功率场景。
4. 稳定的工作温度范围，可在极端环境下可靠运行。
5. 具备优异的雪崩能力和抗静电性能，提高了产品的鲁棒性。
6. 封装兼容性强，便于设计集成与散热管理。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的功率开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 各类电机驱动电路。
5. 汽车电子系统中的功率控制模块。
6. 工业自动化设备中的功率转换和信号调节组件。
IRFZ44N, FDP5570N, STP25NF03
