类型：碳化硅（SiC）肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：650 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：71 A
　　峰值非重复正向浪涌电流（IFSM）：900 A
　　正向电压降（VF）：典型值1.7 V（在71 A, TJ = 25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：典型值0.5 mA（在650 V, TJ = 25°C条件下）；高温下最大不超过5 mA（TJ = 175°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +175 °C
　　热阻结至外壳（RthJC）：约0.35 K/W
　　封装类型：TO-247-3L
　　安装方式：通孔安装（Through-Hole）
　　极性：单二极管
　　反向恢复时间（trr）：无（理想肖特基行为）
　　无反向恢复电荷（Qrr）：是

IRKJ71-04的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的半导体结构，使其在电力转换系统中表现出远超传统硅基PIN二极管的性能。首先，该器件具备零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和极低的反向恢复电流，这意味着在高频开关操作中不会产生额外的开关损耗，从而大幅提高系统的整体能效。这一特性特别适用于现代高频率工作的PFC电路和DC-DC变换器，能够有效减少热管理负担并缩小被动元件尺寸。其次，其正向导通压降（VF）在额定电流下保持在1.7V左右，虽然略高于某些超快恢复硅二极管，但由于没有反向恢复损耗，综合导通与开关损耗更低，尤其在高负载和高频率工况下优势明显。
　　此外，IRKJ71-04具有卓越的高温工作能力，最高允许结温达到175°C，使其能够在高温环境中长期稳定运行，减少了对复杂冷却系统的需求。其低反向漏电流在常温下仅为0.5mA，在175°C时也控制在5mA以内，确保了待机状态下的低静态功耗和高可靠性。该器件还具备强大的抗浪涌能力，可承受高达900A的非重复浪涌电流，增强了系统应对瞬态过载或雷击等异常情况的能力。TO-247-3L封装不仅提供了良好的电气隔离和散热路径，还兼容主流功率模块的装配流程，便于集成到各种工业级电源设计中。最后，得益于SiC材料的宽带隙特性，该二极管具有更高的临界击穿电场强度，能够在650V额定电压下实现更薄的漂移层结构，进一步提升动态响应速度和功率密度。这些综合特性使IRKJ71-04成为下一代高效能源转换系统的理想选择。

IRKJ71-04主要应用于需要高效率、高可靠性和高频率工作的电力电子系统中。其首要应用场景是连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrCM）的功率因数校正（PFC）电路，常见于服务器电源、通信电源和高端工业电源中。在这些系统中，它作为升压二极管连接在升压电感与输出母线之间，承担高频整流任务。由于其无反向恢复电荷的特性，能够显著降低MOSFET或IGBT的开通损耗，提升整机效率并减少EMI滤波需求。
　　在可再生能源领域，该器件被广泛用于光伏（PV）逆变器中的直流侧整流与防逆流保护，帮助实现更高的能量转化效率和更低的系统温升。同时，在电动汽车（EV）充电设备中，无论是车载充电机（OBC）还是直流充电桩，IRKJ71-04都能在高压直流链路中提供高效的整流功能，支持快速充电过程中的稳定运行。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、焊接电源、感应加热装置以及各类高功率DC-DC转换器拓扑结构（如LLC谐振变换器、全桥变换器等）。在这些应用中，其高温耐受能力和低损耗特性有助于提升系统功率密度和长期运行可靠性。工业电机驱动系统中同样可以利用其优异的动态响应表现来优化整流级设计。总体而言，任何需要在650V电压等级下实现高效、紧凑、高可靠性电源设计的场合，都是IRKJ71-04的理想用武之地。

IKW75N65RH5
　　IRGS71B65UD
　　IDH06G65C5