时间：2025/4/28 16:25:52
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FQU1N60CTU 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件采用 TO-220 封装形式，具有高电压和低导通电阻的特点，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用场合。
该 MOSFET 的最大漏源极电压为 600V，使其能够在高压环境下稳定运行，同时具备较高的电流承载能力。
最大漏源极电压：600V
最大漏极电流：5.8A
栅极阈值电压：4V
导通电阻（典型值）：3.6Ω
总功耗：17W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FQU1N60CTU 具有以下主要特性：
1. 高电压耐受能力，适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻，在大电流情况下能有效减少功率损耗。
3. 快速开关性能，支持高频电路设计。
4. 较小的输入和输出电容，有助于降低开关损耗。
5. 稳定性好，能够在恶劣的工作条件下保持正常运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设备的要求。
FQU1N60CTU 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC 转换器的核心元件。
3. 电机驱动和控制电路。
4. PFC（功率因数校正）电路中的功率开关。
5. 各种工业控制和家电产品中的高压切换。
6. 继电器和电磁阀驱动电路。
其高压特性和稳定性使其成为众多高压电子系统中的理想选择。
FDP15N60E, IRF8215, STP10NK60Z
