IRKH71-04 时间：2025/12/26 21:21:30 阅读：20

IRKH71-04是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的TrenchStop技术，结合优化的芯片设计和封装工艺，能够在中低电压范围内提供卓越的导通性能与开关特性。IRKH71-04的漏源电压（VDS）为40V，连续漏极电流（ID）可达71A，适用于对功率密度和能效要求较高的电源系统。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提升整体系统效率。该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、电池供电设备、服务器电源、电信整流模块以及工业电源等领域。IRKH71-04具备优良的热稳定性和可靠性，符合RoHS环保标准，并具有无铅（Pb-free）和符合JEDEC标准的易焊接性。器件通常采用TO-220或类似的通孔封装形式，便于散热管理与电路板布局。得益于英飞凌在功率半导体领域的深厚积累，IRKH71-04在动态性能、抗雪崩能力及抗短路能力方面表现出色，适合在严苛工作环境下长期运行。

参数

型号：IRKH71-04
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品类型：MOSFET
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：40 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：71 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：280 A
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：3.2 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：4.0 mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：67 nC
　　输入电容（Ciss）：4400 pF
　　反向恢复时间（trr）：28 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 至 175 °C
　　封装类型：TO-220

特性

IRKH71-04采用了英飞凌先进的TrenchStop 7技术平台，这是一种高度优化的垂直沟槽型MOSFET结构，旨在实现超低导通电阻与优异开关速度之间的最佳平衡。其核心优势在于通过精细控制掺杂分布和沟槽几何形状，大幅降低单位面积的比导通电阻（Rsp），从而在有限的芯片尺寸下实现更高的电流承载能力。这种设计不仅提升了功率密度，还有效减少了传导损耗，特别适用于高频率PWM控制场景。该器件的栅极电荷（Qg）仅为67nC，在同类40V MOSFET中处于领先水平，这意味着驱动电路所需提供的能量更少，有助于简化驱动器设计并降低驱动功耗。同时，较低的输入电容（Ciss）也减少了开关过程中的dv/dt效应，提高了系统的EMI兼容性。
　　另一个关键特性是其出色的热性能表现。IRKH71-04具备高达175°C的最大结温，确保在高温环境下仍能稳定运行。其封装采用高导热材料与优化的内部引线连接，使热阻（RthJC）保持在较低水平，有利于热量从芯片快速传导至散热器。此外，该器件经过严格测试，具备良好的抗雪崩能力和重复脉冲耐受能力，可在突发过压或负载突变情况下保护自身不受损坏。这使得它非常适合用于汽车电子、工业自动化等对可靠性要求极高的领域。
　　IRKH71-04还具有良好的栅极阈值电压（Vth）一致性，典型值约为2.1V，保证了多管并联使用时的均流特性。其±20V的栅源电压耐受能力提供了足够的安全裕度，防止因驱动信号振荡或噪声导致的误开通。器件符合RoHS指令且不含卤素，满足现代电子产品对环保的要求。综合来看，IRKH71-04凭借其高性能参数、可靠的设计和广泛的应用适应性，成为中低压大电流开关应用中的理想选择之一。

应用

IRKH71-04主要应用于需要高效、大电流开关能力的电力电子系统中。典型应用场景包括同步整流式DC-DC降压变换器（Buck Converter），尤其是在服务器主板、GPU供电模块和VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，因其低RDS(on)和快速开关特性可显著提高转换效率并减少发热。在电机驱动领域，该器件可用于电动工具、无人机电调、机器人关节驱动等设备中的H桥电路，实现精确的正反转与调速控制。由于其高脉冲电流能力（可达280A），也非常适合应对启动瞬间的大电流冲击。
　　在电池管理系统（BMS）和便携式储能设备中，IRKH71-04可用作充放电路径的主控开关，支持双向能量流动并具备过流保护功能。其高温工作能力使其适用于车载环境下的辅助电源系统，如车灯控制、风扇驱动和车载逆变器等。此外，在电信基础设施中，该MOSFET常用于48V转12V中间母线转换器，配合多相并联架构以分担电流负载，提升系统冗余度与可靠性。工业电源、LED驱动电源以及太阳能微逆变器也是其重要应用方向。总之，任何需要在40V以下电压等级实现高效率、高功率密度开关控制的场合，IRKH71-04都是一个极具竞争力的选择。