型号：IRKH41/14
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：1200 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：41 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：164 A
　　功耗（Ptot）：307 W
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=15V：85 mΩ
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.0 V ~ 6.0 V
　　输入电容（Ciss）：4600 pF
　　输出电容（Coss）：140 pF
　　反向恢复时间（trr）：37 ns
　　工作结温范围：-55 °C ~ +175 °C
　　封装类型：TO-220 FullPAK

IRKH41/14的核心技术基于Infineon的TrenchStop? 5代工艺，这一技术通过优化沟槽结构和掺杂分布，在维持高击穿电压的同时大幅降低导通电阻和开关损耗。其Rds(on)仅为85mΩ，即使在1200V高耐压等级下也能实现高效的导通性能，显著减少传导损耗，提升系统整体效率。此外，该器件在栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw）方面进行了优化，使得在高频开关条件下仍能保持较低的驱动功耗和快速的开关响应，适用于高达数十kHz甚至更高的开关频率应用。
　　TrenchStop? 5技术还增强了器件的抗雪崩能力，使其能够在发生瞬态过压或短路事件时吸收更多的能量而不损坏。这对于光伏逆变器或电机驱动器等可能遭遇负载突变或电网波动的应用至关重要。该MOSFET的体二极管也经过特别优化，具有较低的反向恢复电荷（Qrr），从而减少了换向过程中的尖峰电流和电磁干扰，提高了系统的稳定性与安全性。
　　IRKH41/14采用TO-220 FullPAK封装，这是一种无引线框架的模压封装技术，利用铜夹代替传统的铝线连接，极大提升了电流传输效率和热传导性能。这种结构不仅增强了机械强度，还有效降低了寄生电感和电阻，减少了开关过程中的电压振荡和功率损耗。同时，该封装具备优良的绝缘性能，可以直接安装在散热器上而无需额外的绝缘垫片，简化了热管理设计并提高了功率密度。
　　该器件的工作结温最高可达+175°C，支持极端环境下的长期稳定运行。宽泛的温度范围使其适用于工业自动化、可再生能源系统以及轨道交通等恶劣工况场合。此外，产品符合RoHS和REACH环保标准，并通过AEC-Q101认证，体现了其在质量和可靠性方面的高标准。综合来看，IRKH41/14凭借先进的半导体工艺、稳健的封装设计和卓越的电气性能，成为高压大功率应用中的关键元件。

IRKH41/14广泛应用于多种高电压、高效率的电力电子系统中。典型应用场景包括工业用开关模式电源（SMPS），尤其是在大功率服务器电源、电信整流器和工业电源模块中，其高耐压和低导通损耗特性有助于实现更高的能效和更小的散热需求。在太阳能光伏逆变器中，该器件常用于DC-AC转换的主开关电路，能够承受高压直流母线电压，并在频繁开关操作中保持低损耗，延长系统寿命。
　　此外，IRKH41/14也适用于不间断电源（UPS）系统，特别是在在线式UPS的逆变级和整流级中，其快速开关能力和高可靠性确保了市电中断时的无缝切换和持续供电。在电机驱动领域，无论是交流感应电机还是永磁同步电机的控制电路，该MOSFET都能胜任半桥或全桥拓扑中的开关任务，尤其适合中等功率级别的变频器和伺服驱动器。
　　由于其具备汽车级可靠性认证（AEC-Q101），IRKH41/14还可用于电动汽车充电设备、车载DC-DC转换器以及轨道交通中的辅助电源系统。在感应加热、电焊机和高压照明电源等特殊工业设备中，该器件同样表现出优异的动态响应和耐久性。总之，凡是需要1200V耐压等级、高效率和高可靠性的功率开关场合，IRKH41/14都是一种极具竞争力的选择。

IKW40N120T5