时间:2025/12/26 21:07:41
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IRKH27/12是一款由Infineon Technologies(英飞凌)推出的N沟道功率MOSFET,专为高效率和高可靠性要求的应用而设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造,具备低导通电阻、优异的开关性能以及良好的热稳定性,适用于多种电源管理场景。IRKH27/12特别针对汽车级应用进行了优化,符合AEC-Q101标准,能够在严苛的工作环境(如高温、高湿、振动等)下稳定运行,因此广泛用于车载电子系统中。该MOSFET封装在PG-HSOF-5(TO-Leadless)小型化表面贴装封装中,有助于节省PCB空间并提升功率密度。其引脚兼容某些市场主流产品,便于设计替换与升级。得益于英飞凌在功率半导体领域的深厚积累,IRKH27/12在性能、可靠性和长期供货能力方面表现出色,是现代高效能电源转换系统中的理想选择之一。
该器件的主要优势在于其出色的RDS(on)特性,在低栅极驱动电压下仍能实现较低的导通损耗,适合使用3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场合。此外,它具备较强的雪崩能量承受能力,增强了系统在瞬态过压情况下的鲁棒性。器件内部结构经过优化,减少了寄生参数,从而降低了开关过程中的能量损耗,提升了整体能效。由于其符合RoHS环保标准且不含卤素,IRKH27/12也满足现代电子产品对绿色制造的要求。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):1200 V
最大漏极电流(Id):2.7 A(连续)
导通电阻(Rds(on)):270 mΩ(@ Vgs = 10 V)
栅极阈值电压(Vgs(th)):4.0 V(典型值)
最大栅源电压(Vgs):±20 V
功耗(Ptot):35 W
工作结温范围(Tj):-55 °C 至 +150 °C
封装形式:PG-HSOF-5(HSOF-5)
安装类型:表面贴装(SMD)
输入电容(Ciss):约 1100 pF @ Vds=25V
反向恢复时间(trr):快速恢复型体二极管
雪崩能量额定值(Eas):有保证
IRKH27/12的核心特性之一是其高达1200V的漏源击穿电压,使其非常适合用于高压电源转换系统,例如工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及感应加热装置。在此高压等级下,器件仍保持相对较低的导通电阻(270mΩ),有效降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统整体效率。这一特性对于需要长时间持续工作的高可靠性系统尤为重要。同时,该MOSFET在10V栅极驱动条件下即可完全导通,确保了与标准驱动电路的良好兼容性,并避免因驱动不足导致的额外热损耗问题。
另一个显著特点是其采用的PG-HSOF-5无引线封装。这种封装不仅体积小巧,有利于实现紧凑型PCB布局,还具备优良的散热性能。底部裸露焊盘设计可直接连接至PCB上的大面积铜箔,显著降低热阻,提升散热效率,从而允许器件在较高环境温度下安全运行。此外,该封装支持自动化贴片生产,适合大规模制造流程,提升了生产的可重复性和一致性。
IRKH27/12通过了AEC-Q101车规认证,意味着其在极端温度循环、湿度、机械应力等方面的可靠性得到了严格验证,适用于汽车辅助电源、车载DC-DC转换器、电机控制模块等关键应用场景。器件具有较强的抗雪崩能力和稳健的体二极管特性,能够承受突发的电压尖峰和感性负载关断时产生的反向电流,减少外部保护元件的需求,简化电路设计。
此外,该MOSFET具备较低的输入和输出电容,有助于减少开关过程中的动态损耗,提高高频开关应用中的能效表现。其栅极电荷(Qg)适中,使得驱动电路设计更为灵活,在兼顾速度与功耗之间取得良好平衡。综合来看,IRKH27/12在高压、小电流、高可靠性需求的应用中展现出卓越的综合性能,是工业与汽车领域值得信赖的功率开关解决方案之一。
IRKH27/12主要应用于需要高电压阻断能力和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括高压DC-DC转换器,特别是在电信电源、服务器电源和工业控制系统中使用的离线式反激或正激拓扑结构。由于其1200V的耐压能力,该器件适用于连接到整流后400V直流母线的初级侧开关,尤其适合轻载或中等功率级别的设计场景。此外,在太阳能光伏逆变器系统中,IRKH27/12可用于辅助电源模块或待机电源单元,为控制系统提供稳定的低压供电,即便在主逆变器关闭时也能维持基本功能运行。
在电动汽车和混合动力汽车领域,该MOSFET常用于车载充电器(OBC)、DC-DC变换器以及电池管理系统中的高压辅助电路。其AEC-Q101认证确保了在车辆复杂电磁环境和宽温变化条件下的长期稳定工作能力。另外,在感应加热设备(如电磁炉、工业加热器)中,IRKH27/12可用作谐振变换器中的开关元件,配合LLC或ZVS拓扑实现高效能量传输。
工业自动化设备中的高压继电器驱动、固态继电器(SSR)以及智能电表的电源管理部分也是其常见应用场景。在这些系统中,器件需承受瞬态浪涌电压和频繁开关操作,而IRKH27/12的高雪崩耐量和稳健的体二极管特性提供了必要的安全保障。此外,由于其表面贴装封装形式,该器件也适用于需要自动化生产和高密度组装的现代电子设备,如通信基站电源模块和高端UPS不间断电源中的辅助电源子系统。
IKW25N120T2
IRGP26B120KD
STH120N120K3