类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　漏极电流（ID）：73 A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.043 Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：300 W

FMW73N20G 的核心特性之一是其较低的导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。其 RDS(on) 值通常在 0.043 Ω 以下，确保在高电流条件下仍能保持较低的功耗。此外，该 MOSFET 支持高达 200 V 的漏源电压，使其适用于中高功率应用，如工业电源、电动工具和逆变器系统。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 ±20 V，使其与常见的驱动电路兼容，并有助于实现快速的开关操作。FMW73N20G 的最大漏极电流为 73 A，在高温条件下仍能维持良好的性能，这得益于其优化的封装设计和内部结构。此外，该 MOSFET 的工作温度范围较宽，从 -55°C 到 +175°C，适用于各种恶劣环境下的应用。
　　采用 TO-247 封装形式，不仅提供了良好的散热性能，还便于在 PCB 上安装和使用。该封装形式具有较低的热阻，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定的温度。此外，FMW73N20G 的最大功率耗散为 300 W，支持在高功率密度系统中使用。

FMW73N20G 主要用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高耐压和低导通电阻的特性，使其在需要频繁开关操作的电路中表现出色，同时也能有效减少系统功耗并提高整体效率。
　　在电动工具和电动汽车相关应用中，该 MOSFET 可用于驱动大功率电机或管理高能量电池组的充放电过程。此外，由于其良好的热性能和高功率处理能力，也适用于高频率开关应用，如谐振变换器和软开关电路。

STW73N20G, FDPF73N20G