时间：2025/12/25 12:42:13
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RCX120N20是一款由罗姆（ROHM）公司生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极和双扩散工艺技术制造，专为高效率电源转换应用设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能以及良好的热稳定性，适用于多种中高功率场景。RCX120N20的最大漏源电压（VDS）为200V，连续漏极电流（ID）可达120A，适合在高电流负载条件下稳定工作。其封装形式通常为TO-247，具备良好的散热能力，便于集成到各种功率模块或分立式电源系统中。由于采用了优化的芯片结构，该MOSFET在高频开关应用中表现出较低的开关损耗和传导损耗，有助于提升整体能效。此外，RCX120N20还具备较强的抗雪崩能力和可靠的栅极氧化层设计，增强了在恶劣工作环境下的耐用性和可靠性。这款产品广泛应用于工业电源、DC-DC转换器、电机驱动、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等领域。
型号：RCX120N20
制造商：ROHM Semiconductor
晶体管类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：200 V
最大栅源电压（VGS）：±30 V
连续漏极电流（ID）：120 A @ 25°C
脉冲漏极电流（IDM）：480 A
最大功耗（PD）：500 W
导通电阻 RDS(on) max：13 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 60 A
阈值电压（Vth）：3.0 ~ 5.0 V
输入电容（Ciss）：10500 pF @ VDS = 25 V
输出电容（Coss）：930 pF @ VDS = 25 V
反向恢复时间（trr）：45 ns
工作结温范围（Tj）：-55 ~ +175 °C
封装类型：TO-247
RCX120N20的核心优势之一是其极低的导通电阻RDS(on)，典型值仅为13mΩ，在高电流应用中显著降低了导通损耗，提高了系统效率。这一特性得益于ROHM先进的沟道设计与硅片工艺优化，使得器件能够在大电流下保持较低的温升，从而延长使用寿命并减少散热设计复杂度。
该MOSFET具备出色的开关特性，输入电容Ciss约为10500pF，输出电容Coss为930pF，在高频开关电源中能够实现快速的开关响应，同时控制开关损耗在合理范围内。配合较短的反向恢复时间（trr=45ns），可以有效降低体二极管反向恢复带来的能量损耗，尤其在同步整流或桥式电路中表现优异。
热稳定性方面，RCX120N20采用高导热性的铜底板封装结构（TO-247），确保热量从芯片迅速传导至散热器，支持高达500W的最大功耗耗散能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其可在极端温度环境下可靠运行，适用于工业级甚至部分汽车级应用场景。
安全性与可靠性设计上，该器件通过了严格的AEC-Q101认证（若适用），具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下维持正常功能。栅极氧化层经过强化处理，耐受±30V的栅源电压，提升了抗静电（ESD）能力和操作安全性。此外，内部寄生参数经过优化，减少了振铃和电磁干扰（EMI）风险，有利于简化外围电路设计。
总体而言，RCX120N20是一款面向高性能电源系统的理想选择，结合低RDS(on)、高电流承载能力、优良的热管理和稳健的电气特性，满足现代高效能、小型化电源设备的设计需求。
RCX120N20广泛用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。典型应用包括工业用大功率开关电源（SMPS），如服务器电源、通信电源等，其中其低导通电阻和高电流能力可显著提升转换效率并降低热管理成本。
在DC-DC转换器中，尤其是在降压（Buck）拓扑中作为主开关或同步整流器使用时，RCX120N20凭借其快速开关特性和低开关损耗，有助于实现高频率运行，缩小磁性元件体积，提高整体功率密度。
该器件也常用于电机驱动系统，例如伺服驱动器、电动工具和工业自动化设备中的H桥驱动电路，其高电流承载能力和抗冲击能力确保在启动或堵转等极端工况下仍能安全运行。
在可再生能源领域，RCX120N20可用于太阳能光伏逆变器的直流侧开关单元，参与最大功率点跟踪（MPPT）控制回路，提升能量采集效率。同时，在电动汽车充电设备（如车载充电机OBC或直流充电桩模块）中，它也能胜任高频硬开关或软开关拓扑中的功率切换任务。
此外，由于其良好的热性能和长期可靠性，RCX120N20还可应用于不间断电源（UPS）、焊接设备、感应加热装置等对持续运行稳定性要求较高的场合。
RHA120N20, RK120N20, IRFP4668, FDPF120N20S
