类型：N沟道
　　极性：增强型
　　击穿电压V(BR)DSS：60V
　　阈值电压VGS(th)：2.1V
　　最大漏源电压VDS：60V
　　最大栅源电压VGSS：±20V
　　最大连续漏极电流ID（at TC=25°C）：26A
　　最大脉冲漏极电流IDM：104A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：17mΩ
　　导通电阻RDS(on) typ @ VGS = 10V：14mΩ
　　输入电容Ciss：3480pF
　　输出电容Coss：940pF
　　反向传输电容Crss：110pF
　　栅极电荷Qg（总）@ 10V：74nC
　　上升时间tr：42ns
　　下降时间tf：35ns
　　反向恢复时间trr：37ns
　　功耗PD：200W
　　工作结温范围TJ：-55°C ~ +175°C
　　封装：D2PAK (TO-263)

IRKH26-06采用英飞凌先进的TrenchFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的优化平衡。其典型RDS(on)仅为14mΩ，在VGS=10V条件下可显著降低导通损耗，提高电源系统的整体能效。这种低RDS(on)特性使其非常适合用于大电流应用场景，如同步整流、H桥电机驱动以及高频率DC-DC变换器中。此外，该器件具有较高的电流处理能力，最大连续漏极电流可达26A，短时脉冲电流更高达104A，表现出卓越的瞬态负载响应能力。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，得益于D2PAK封装带来的高效散热能力，即使在高功率密度环境下也能维持较低的工作温度。其高达+175°C的最大结温允许在高温工业或汽车应用中安全运行。同时，器件内置的快速体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=37ns），有助于减少开关过程中的能量损耗和电压尖峰，从而提升系统EMI表现并降低对缓冲电路的需求。
　　IRKH26-06还具备出色的抗雪崩能力，经过严格测试验证，可在非钳位感性负载条件下承受一定能量的雪崩击穿而不损坏，提高了在异常工况下的鲁棒性。其栅极结构设计稳健，支持±20V栅源电压耐受范围，增强了对误操作或电压瞬变的容忍度。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg=74nC），有助于减少驱动损耗，兼容主流控制器和驱动IC的输出能力，简化了驱动电路设计。
　　由于采用成熟的大规模制造工艺，IRKH26-06具有一致的产品参数分布和高良率，确保批量使用时的系统一致性。其符合RoHS指令且不含卤素，满足现代绿色电子产品的要求。综合来看，IRKH26-06是一款兼具高性能、高可靠性和良好成本效益的功率MOSFET，适用于多种中等电压、大电流的开关应用场合。

IRKH26-06广泛应用于需要高效能功率开关的各种电子系统中。其主要应用领域包括：开关模式电源（SMPS），尤其是用于服务器电源、通信电源和工业电源中的同步整流级；直流电机控制电路，例如电动工具、家用电器和工业自动化设备中的H桥或半桥驱动模块；车载电子系统，如车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和辅助电源单元，利用其高可靠性和宽温工作范围适应严酷的汽车环境；此外，也常见于光伏逆变器、UPS不间断电源和LED驱动电源等新能源与照明控制系统中。
　　在电池管理系统（BMS）中，IRKH26-06可用于电池充放电路径的主动开关控制，凭借其低导通电阻减少发热，提升能效。同时，它也被用于热插拔控制器和电源冗余切换电路中，作为主功率通断元件。由于其封装形式为D2PAK，易于焊接和维护，适合通孔与表面贴装混合工艺，广泛用于工业控制板和电源模块设计中。
　　在消费类电子产品中，如高端台式机主板、游戏主机和大功率适配器中，IRKH26-06常被用作VRM（电压调节模块）中的下管或上管，参与多相供电架构，提供稳定的CPU/GPU供电。其快速开关能力和低Qg特性有助于实现高频操作，减小滤波元件体积，提升功率密度。总体而言，该器件适用于所有要求高效率、高电流承载能力和良好热管理的60V以内功率开关场景。

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　　 "IRF2807PBF",
　　 "IRLH26-06PBF",
　　 "IPD90N06S4L-03",
　　 "FDD26N60FS",
　　 "AUIRLU8726"
　　]