波长类型：发射型
　　峰值波长：940 nm
　　正向电流：100 mA
　　正向电压：1.3 V
　　反向电压：5 V
　　功率耗散：150 mW
　　视角：±45°
　　封装类型：SMD
　　尺寸：3.5 mm x 2.8 mm x 1.6 mm
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C

IRM-H236M3/TR2 红外发射二极管采用了 GaAlAs 材料技术，使其在 940nm 波长附近具有较高的发射效率。这种材料不仅保证了红外光的强输出，还确保了在不同环境温度下保持稳定的光输出水平。该器件的正向电压较低（典型值为 1.3V），使得其在低功耗应用中表现优异，同时支持高达 100mA 的正向电流，适用于需要较高光强度的应用场景。
　　此外，IRM-H236M3/TR2 采用了小型 SMD 封装形式，适用于自动化贴片工艺，降低了生产成本并提高了组装效率。其宽视角设计（±45°）确保了红外光能够覆盖更广的区域，提高了传感器或接收器的检测效率。该器件的功率耗散为 150mW，能够在较高环境温度下稳定工作。工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适用于各种工业和消费类电子产品。IRM-H236M3/TR2 还具有良好的耐久性和抗湿性，适合在多种环境中使用。

IRM-H236M3/TR2 红外发射二极管广泛应用于多种红外发射场景。常见用途包括电视、空调、音响等家用电器的遥控器系统。在这些应用中，它能够将电信号转换为红外信号，并被对应的红外接收模块捕获和解码。此外，该器件也常用于自动化控制系统中的红外传感器，例如用于检测物体是否存在、测量速度或距离的接近传感器。
　　在安防领域，IRM-H236M3/TR2 可用于夜视摄像头或红外照明设备，为图像传感器提供不可见的红外光源，从而实现在低光或无光条件下的清晰成像。此外，它也适用于智能照明系统、自动门控制、光耦合器电路、电子玩具、电子锁系统等场景。由于其高可靠性与小型封装，该器件也常用于工业自动化设备、医疗器械和便携式电子设备中。

TSAL6200, L-53F3C, IR2M-H236T