类型：半桥栅极驱动器
　　通道类型：高侧和低侧
　　输出配置：独立
　　输出通道数：2
　　驱动器配置：N沟道 MOSFET, IGBT
　　最大电源电压：20 V
　　最小电源电压：10 V
　　峰值输出电流（源电流）：250 mA
　　峰值输出电流（汲电流）：500 mA
　　输入逻辑类型：CMOS, TTL
　　上升时间：50 ns
　　下降时间：30 ns
　　工作温度范围：-40°C ~ 150°C
　　击穿电压（VS）：600 V
　　封装类型：SOIC-16
　　自举二极管集成：是
　　传播延迟：120 ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：100 kV/μs

IRKH196-16具有多项先进特性，使其在众多栅极驱动器中脱颖而出。首先，它集成了自举二极管，这不仅减少了外部元件的需求，还降低了PCB布线复杂度，提升了系统的可靠性和长期稳定性。传统的半桥驱动方案通常需要外接快恢复二极管用于高侧电源充电，而IRKH196-16通过内部集成高质量二极管实现了这一功能，避免了因外部二极管失效导致的系统故障风险。
　　其次，该器件具备优异的共模瞬态抗扰度（CMTI），典型值可达100kV/μs，意味着其在高噪声、高dv/dt环境中仍能保持稳定的信号传输，防止误触发导致的短路或功率器件损坏。这对于工作在高频开关状态下的电源系统尤为重要，尤其是在电机控制和逆变器应用中，能够显著提升系统鲁棒性。
　　再者，IRKH196-16内置完善的欠压锁定（UVLO）保护机制，分别对高低侧供电进行监控。当VCC或VB电压低于设定阈值时，输出将被强制关闭，防止在电源不稳定时出现非正常导通现象。这种双重UVLO设计增强了系统的安全性。此外，芯片内部设有互锁逻辑电路，提供交叉导通防护，即使输入信号出现毛刺或异常时序，也能确保上下管不会同时导通，从而杜绝“直通”事故的发生。
　　最后，该器件支持高达600V的母线电压，适用于大多数中压功率转换场合，并可在-40°C至150°C的宽温范围内可靠运行，满足工业和部分汽车应用的严苛环境要求。其输入端兼容TTL和CMOS电平，方便与各种控制器（如MCU、DSP）直接接口，无需额外电平转换电路。综合来看，IRKH196-16是一款高性能、高集成度且高度可靠的栅极驱动器，适合对效率、安全性和空间有严格要求的设计。

IRKH196-16广泛应用于各类采用半桥拓扑结构的电力电子系统中。典型应用场景包括交流-直流（AC-DC）和直流-交流（DC-AC）功率转换设备，如开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和光伏逆变器。在这些系统中，IRKH196-16用于驱动半桥中的两个N沟道MOSFET或IGBT，实现高效的能量转换与精确的开关控制。
　　在电机驱动领域，该芯片常见于家用电器（如变频空调、洗衣机）和工业电机控制系统中，作为功率级的驱动核心，配合PWM控制器完成对电机转速和扭矩的调节。其高抗噪能力和快速响应特性确保了电机运行平稳，减少振动与能耗。
　　此外，IRKH196-16也适用于电子镇流器和LED照明驱动电源，特别是在需要高效率和长寿命的商业照明系统中表现优异。其集成自举二极管的设计大大简化了荧光灯或高强度放电灯（HID）镇流器的外围电路。
　　在新能源汽车和车载充电机（OBC）中，尽管主驱部分可能使用更高规格的驱动器，但IRKH196-16仍可用于辅助电源模块或DC-DC变换器中的半桥结构驱动。其宽温工作范围和高可靠性符合汽车电子的部分标准要求。
　　总体而言，任何需要安全、高效地驱动高压半桥拓扑的应用均可考虑采用IRKH196-16，尤其适合追求小型化、低成本和高可靠性的设计方案。

IRS2186PbF
　　IRS2106STRPBF
　　IR2110S
　　L6387E