时间：2025/7/12 0:11:20
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HMK107B7153KAHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺，在效率和可靠性方面表现出色。其封装形式适合高密度设计，并且能够有效降低导通损耗和开关损耗。
这款芯片具有较低的导通电阻和较高的电流承受能力，能够在高频条件下提供稳定的性能表现，适用于各种工业及消费类电子产品的电源管理方案。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：7.5A
导通电阻（典型值）：0.55Ω
栅极电荷：25nC
总电容：100pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
HMK107B7153KAHT 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，可显著减少功耗并提升系统效率。
2. 高击穿电压设计，确保在高压环境下的稳定运行。
3. 快速开关速度，支持高频应用，减少电磁干扰问题。
4. 内置 ESD 保护电路，增强器件的抗静电能力。
5. 热稳定性强，能够在极端温度范围内保持一致的性能输出。
6. 小型化封装设计，方便用户进行 PCB 布局优化。
此外，该产品还通过了多项国际质量认证，例如 AEC-Q101 和 IATF 16949，满足汽车级应用的需求。
HMK107B7153KAHT 广泛应用于以下几个领域：
1. 开关电源适配器及充电器中作为主开关管。
2. 各种 DC-DC 转换器模块的核心组件。
3. 工业自动化设备中的电机控制单元。
4. 汽车电子系统的负载开关或逆变器部分。
5. LED 照明驱动电路中的功率调节元件。
由于其优异的电气特性和机械结构特点，该器件特别适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。
HMK107B7153KAXT, HMK107B7153KAJT
