类型：半桥栅极驱动器
　　拓扑结构：半桥
　　输出通道数：2
　　高端侧额定电压（VS）：-5.5V 至 630V
　　低端侧供电电压（VDD）：10V 至 20V
　　逻辑输入电压兼容性：TTL/CMOS 兼容
　　峰值输出电流：+2A/-2A（典型值）
　　传播延迟时间：≤500ns（典型值）
　　上升时间（典型值）：40ns（1000pF负载）
　　下降时间（典型值）：40ns（1000pF负载）
　　死区时间：典型500ns（内部固定）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-8 贴片封装
　　隔离电压：>1500V RMS（通过封装实现）
　　驱动方式：自举式高端驱动

IRKH162-12的核心特性之一是其高集成度与高可靠性，使其成为现代开关电源设计中的理想选择。
　　该器件采用独立的高端与低端栅极驱动架构，支持浮动高端侧运行，最大可达630V的耐压能力，使其可直接应用于主流的离线式电源系统中，无需额外的电平位移电路。这种设计不仅提高了系统的集成度，也降低了外围元件数量和设计复杂性。其内置的自举二极管进一步简化了外部电路设计，减少了对分立二极管的需求，从而提升了整体可靠性并节省PCB空间。
　　另一个关键特性是其优异的动态性能表现。IRKH162-12具有快速且匹配良好的传播延迟和上升/下降时间，确保上下管之间的切换更加精确，有效减少直通电流的风险。同时，内部固定的死区时间机制可防止上下桥臂同时导通，避免短路情况的发生，这对于提高电源效率和系统安全性至关重要。此外，该芯片具备TTL/CMOS兼容的输入接口，可以直接连接到控制器（如PWM IC或数字控制器），无需额外的电平转换电路。
　　在保护机制方面，IRKH162-12集成了完善的欠压锁定（UVLO）功能，分别针对高端和低端电源引脚进行监控。当VDD或VB电压低于设定阈值时，输出将被强制关闭，防止MOSFET在低驱动电压下工作导致过热或损坏。此外，其抗噪能力强，得益于高共模瞬态抗扰度（CMTI >100kV/μs），能够在高频开关环境下保持稳定运行，避免误触发。
　　IRKH162-12还采用了热关断保护机制，在芯片结温过高时自动关闭输出，待温度恢复后重新启动，增强了长期运行的稳定性。整个芯片基于英飞凌成熟的BCD工艺平台开发，具备良好的ESD防护能力和长期可靠性，适用于严苛的工业环境应用。

IRKH162-12广泛应用于多种电力电子变换系统中，尤其适用于需要高效、紧凑设计的中高功率电源产品。
　　在AC-DC电源领域，该芯片常用于PFC（功率因数校正）级的半桥驱动电路中，配合升压拓扑使用，帮助实现高功率因数和低谐波失真，满足IEC 61000-3-2等国际标准要求。它也被广泛应用于LLC谐振转换器中，作为主开关管的驱动单元，利用其快速响应和低传播延迟特性来提升整体转换效率。
　　在工业自动化设备中，如变频器、伺服驱动器和UPS不间断电源系统中，IRKH162-12可用于驱动功率MOSFET或IGBT模块中的半桥单元，提供稳定可靠的栅极驱动信号。由于其支持宽温范围和高抗干扰能力，适合在电磁环境复杂的工业现场稳定运行。
　　此外，在通信电源和服务器电源模块中，该芯片因其高集成度和小型化封装而受到青睐，有助于实现更高功率密度和更优的散热管理。LED恒流驱动电源也是其典型应用场景之一，特别是在大功率户外照明或商业照明系统中，IRKH162-12可驱动半桥拓扑实现高效的DC-DC转换，提供稳定的电流输出。
　　其他潜在应用还包括太阳能逆变器的辅助电源部分、电池充电管理系统（BMS）中的隔离驱动接口，以及各类高频DC-DC转换器。凭借其高耐压、强驱动能力和多重保护机制，IRKH162-12已成为许多工程师在设计高压半桥驱动方案时的首选器件之一。

IRS2110S
　　IR2110
　　IR2113
　　LM5109B