类型：达林顿晶体管阵列
　　晶体管数量：2个
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　最大集电极电流（IC）：500mA
　　功耗（PD）：625mW
　　增益（hFE）：1000（最小）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DIP-16 或 SOP-16

高电流增益：由于采用达林顿对管结构，2DI50A140的电流增益通常可以达到1000以上，使得它非常适合用作功率放大器或开关驱动器。
　　耐高压能力：每个晶体管的集电极-发射极击穿电压可达100V，使其适用于多种高电压应用场景。
　　低饱和压降：在导通状态下，达林顿对管的饱和压降较低，减少了功率损耗，提高了系统效率。
　　热稳定性好：芯片内部设计考虑了热稳定性，具有良好的温度适应性，可在较宽的温度范围内稳定工作。
　　易于使用：2DI50A140采用标准DIP或SOP封装，便于在PCB板上安装和布线，且与TTL或CMOS逻辑电平兼容，可以直接由微控制器或其他数字电路驱动。
　　内置保护功能：虽然2DI50A140没有内置的过流或过温保护电路，但其高可靠性和耐久性使其在大多数应用中表现良好。

电机驱动：用于控制小型直流电机的启停和方向控制。
　　继电器驱动：在自动化控制系统中，用于驱动继电器线圈，实现大电流负载的开关控制。
　　LED显示驱动：用于大屏幕LED显示屏的行列扫描驱动，确保足够的亮度和稳定性。
　　照明控制：在工业照明系统中，用于控制高功率LED或卤素灯的开关。
　　电源开关：在智能家电或工业设备中，作为功率开关使用，控制加热元件或其他大功率设备的运行。
　　自动控制电路：用于PLC（可编程逻辑控制器）或嵌入式系统中，作为输出级的驱动元件。

ULN2003A, TIP120, TIP122, L298N